[發明專利]液晶顯示裝置及其陣列基板、陣列基板的制造方法無效
| 申請號: | 201210487352.5 | 申請日: | 2012-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN102981334A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 董成才;許哲豪;黨娟寧 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢濤 |
| 地址: | 518000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶 顯示裝置 及其 陣列 制造 方法 | ||
1.一種液晶顯示裝置的陣列基板,包括玻璃基板,所述玻璃基板上形成有柵極掃描線以及像素電極,所述柵極掃描線上設置有絕緣層;所述像素電極的邊緣與所述柵極掃描線具有重疊區域,所述像素電極與柵極掃描線在該重疊區域形成寄生電容,其特征在于,所述柵極掃描線與所述像素電極之間在重疊區域還設置有至少一層用于減小所述寄生電容的保護材料層。
2.如權利要求1所述的液晶顯示裝置的陣列基板,其特征在于,所述保護材料層為a-si材料層。
3.如權利要求2所述的液晶顯示裝置的陣列基板,其特征在于,所述a-si材料層設置在所述絕緣層的上方。
4.如權利要求2所述的液晶顯示裝置的陣列基板,其特征在于,所述a-si材料層與所述陣列基板的TFT的a-si材料層屬于同一層。
5.如權利要求1所述的液晶顯示裝置的陣列基板,其特征在于,所述像素電極為ITO材料。
6.一種液晶顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-5任一所述的陣列基板。
7.一種如權利要求1所述的液晶顯示裝置的陣列基板的制造方法,其特征在于,包括步驟:
S1、在玻璃基板上形成金屬材料層,通過光刻工藝和刻蝕工藝形成柵極掃描線;
S2、在柵極掃描線上方形成絕緣層以及保護材料層;
S3、在玻璃基板上繼續形成陣列基板的其它材料層以及所述像素電極材料層,并形成TFT以及像素電極。
8.如權利要求7所述的液晶顯示裝置的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟S2中,所述保護材料層為a-si材料層。
9.如權利要求8所述的液晶顯示裝置的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述步驟S2中,形成a-si材料層時同時形成陣列基板的TFT的a-si材料層。
10.如權利要求7所述的液晶顯示裝置的陣列基板的制造方法,其特征在于,所述像素電極材料層為ITO材料。
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