[發(fā)明專利]一種高吸水量二氧化硅的制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210486996.2 | 申請日: | 2012-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN102992331A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 梁長海;汪鐳;張淼;李闖 | 申請(專利權(quán))人: | 大連理工大學(xué) |
| 主分類號: | C01B33/12 | 分類號: | C01B33/12 |
| 代理公司: | 大連理工大學(xué)專利中心 21200 | 代理人: | 梅洪玉 |
| 地址: | 116024*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 吸水 二氧化硅 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于分子篩合成技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種高吸水量二氧化硅的制備方法。具體說是提供了一種使用便宜硅源,如水玻璃、硅溶膠或無定形二氧化硅,和成孔劑為原料制備的高吸水量二氧化硅及其制備方法。
背景技術(shù)
二氧化硅是一種多孔無機(jī)材料,廣泛用于橡膠、農(nóng)藥、造紙、塑料加工等行業(yè)。近年來,多孔二氧化硅由于其低密度和高比表面積等特性,被用作絕緣、絕熱材料,更由于多孔二氧化硅具有發(fā)達(dá)的孔結(jié)構(gòu),被用作吸附劑和催化劑載體,而在用作吸附劑時更多的是用作吸附水分的干燥劑。一般的二氧化硅的室溫條件下(溫度25℃,相對濕度50%)吸水量在30%(即1g二氧化硅樣品在常溫常壓下的飽和吸水量為0.3g)左右。
通常多孔二氧化硅的制備是在酸性或堿性條件下,以陽離子表面活性劑、陰離子表面活性劑或非離子表面活性劑為模板劑,通過硅氧鍵的縮合而得到的。中國專利CN101962192A報道了一種高吸附性多孔二氧化硅吸附劑的制備方法,在相對濕度為95%時水分吸附量可達(dá)60%,制備的多孔二氧化硅的孔徑為3-8nm。此制備方法對硅源的要求較高,需要硅醇鹽正硅酸甲酯或正硅酸乙酯,雖然制備的二氧化硅的吸水量較高,但是硅源價格的昂貴限制了此種方法的大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用。同樣CN101016156A以十六烷基三甲基溴化銨為表面活性劑,硅醇鹽為硅源,在溫和條件下制備介孔二氧化硅材料,所需反應(yīng)時間(六天)相對較長,不利于工業(yè)生產(chǎn)。CN101880045A公布了一種高吸水性介孔分子篩MCM-41的制備方法,該方法需要對制備的MCM-41分子篩凝膠進(jìn)行陳化和高溫晶化,所需時間相對較長,優(yōu)選方案中提到的時間均在2小時以上,而且高溫晶化將帶來更多的能耗,不利于工業(yè)中的高效節(jié)能生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種高吸水量二氧化硅的制備方法。
本發(fā)明制備高吸水量二氧化硅的具體過程為:
(1)反應(yīng)混合物的制備:先將各原料工作液加熱到一定溫度,然后將硅源溶液倒入到合成釜中,在攪拌下再將表面活性劑溶液加入,攪拌均勻后,調(diào)節(jié)反應(yīng)混合物的pH值為一定值。
(2)將反應(yīng)混合物加熱到老化溫度,在攪拌下老化一定時間。
(3)將固體與母液分離,用去離子水洗滌和干燥。
(4)在一定溫度下焙燒一定時間,即得高吸水量二氧化硅。
制備高吸水量二氧化硅采用的硅源為水玻璃、硅溶膠或無定形二氧化硅,考慮到生產(chǎn)成本,通常采用水玻璃為硅源。
本發(fā)明中采用陽離子型表面活性劑,可用下列分子結(jié)構(gòu)式表示:
其中R1,R2、R3為H或C1-C5的烷基,R’為C5-C24的烷基,X為OH-、F-,Cl-或I-離子的表面活性劑作為成孔劑。
本發(fā)明中采用無機(jī)酸調(diào)節(jié)反應(yīng)混合物的pH值,所用的無機(jī)酸為鹽酸、硫酸或硝酸,反應(yīng)混合物的pH值為1-6,較佳選擇為2-4。
本發(fā)明制備二氧化硅的方法中,各原料按氧化物分子摩爾比為:
A/SiO2=0.015-0.25,H2O/SiO2=100-400?較佳選擇為A/SiO2=0.025-0.15,H2O/SiO2=180-250?其中A為表面活性劑(成孔劑)。
本發(fā)明制備二氧化硅的方法中,制備反應(yīng)混合物的工作液溫度范圍為25-70℃,較佳選擇為30-45℃。制備的反應(yīng)混合物需要在一定溫度下老化一定時間,老化溫度范圍為25-100℃,較佳選擇的為50-70℃,老化時間在0.1小時以上,較佳選擇為1.0-1.5小時。干燥后產(chǎn)物要經(jīng)過500-600℃焙燒1小時以上,較佳選擇為550℃焙燒3小時,即成為高吸水量二氧化硅。
本發(fā)明的制備方法,快速高效,能耗較低,不需要高溫晶化,所用原料廉價。制備的二氧化硅比表面積在800-1200m2/g,孔體積在0.7-1.2cm3/g,孔直徑大小在0.5-10nm的范圍內(nèi),室溫條件下(溫度25℃,相對濕度50%)飽和吸水量大于70%。本發(fā)明的二氧化硅熱穩(wěn)定性好,吸水量隨焙燒溫度的升高而緩慢下降,因而適用范圍廣。
附圖說明
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