[發明專利]半導體器件失效分析樣品制作方法以及分析方法

在審

• 申請號: 201210485695.8
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN103839771A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發明（設計）人: 王君麗;梁山安;蘇鳳蓮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;G01R31/303
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件失效分析樣品制作方法，包括：

提供待測的半導體器件，所述半導體器件包括芯片和封裝覆層，所述芯片的背面通過粘合層裝配于芯片焊墊上，所述芯片的正面通過引線與引線框架上對應的引腳電連接；

采用化學試劑去除所述芯片焊墊背面的部分封裝覆層，以暴露出所述芯片焊墊的部分表面；

去除部分所述芯片焊墊，暴露出所述粘合層；

去除全部或者部分粘合層，暴露出所述芯片的背面，形成半導體器件失效分析樣品。

2.如權利要求1所述的半導體器件失效分析樣品制作方法，其特征在于：采用化學試劑去除所述芯片焊墊背面的部分封裝覆層的步驟中，所述化學試劑為發煙硝酸。

3.如權利要求1所述的半導體器件失效分析樣品制作方法，其特征在于：利用濃度為70%的硝酸溶液去除部分所述芯片焊墊。

4.如權利要求1所述的半導體器件失效分析樣品制作方法，其特征在于：所述粘合層為銀膠層。

5.如權利要求4所述的半導體器件失效分析樣品制作方法，其特征在于：利用丙酮溶液去除全部或者部分粘合層。

6.如權利要求1所述的半導體器件失效分析樣品制作方法，其特征在于：去除全部或者部分粘合層之后，還包括利用超聲波清洗所述芯片。

7.一種半導體器件失效分析方法，包括：

提供待測的半導體器件，所述半導體器件包括芯片和封裝覆層，所述芯片的背面通過粘合層裝配于芯片焊墊上，所述芯片的正面通過引線與引線框架上對應的引腳電連接；

采用化學試劑去除所述芯片焊墊背面的部分封裝覆層，以暴露出所述芯片焊墊的部分表面；

去除部分所述芯片焊墊，暴露出所述粘合層；

去除全部或者部分粘合層，暴露出所述芯片的背面，形成半導體器件失效分析樣品；

對所述半導體器件失效分析樣品進行失效分析。

8.如權利要求7所述的半導體器件失效分析方法，其特征在于：對所述半導體器件失效分析樣品進行失效分析的過程包括：

將所述引腳插入測試設備的插槽，對所述芯片施加電壓；

觀測芯片上的異常發光點。

9.如權利要求7所述的半導體器件失效分析方法，其特征在于：對所述半導體器件失效分析樣品進行失效分析的過程包括：

將所述引腳插入測試設備的插槽，對所述芯片施加電壓；

采用激光掃描芯片；

測試所述引腳上的電流。

10.如權利要求7所述的半導體器件失效分析方法，其特征在于：采用化學試劑去除所述芯片焊墊背面的部分封裝覆層的步驟中，所述化學試劑為發煙硝酸。

11.如權利要求7所述的半導體器件失效分析方法，其特征在于：利用濃度為70%的硝酸溶液去除部分所述芯片焊墊。

12.如權利要求7所述的半導體器件失效分析方法，其特征在于：所述粘合層為銀膠層。

13.如權利要求12所述的半導體器件失效分析方法，其特征在于：利用丙酮溶液去除全部或者部分粘合層。

14.如權利要求7所述的半導體器件失效分析方法，其特征在于：去除全部或者部分粘合層之后，還包括利用超聲波清洗所述芯片。