[發(fā)明專利]金屬性結(jié)構(gòu)與光電裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210485647.9 | 申請日: | 2012-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN103138033A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳寬任 | 申請(專利權(quán))人: | 陳寬任 |
| 主分類號: | H01P1/20 | 分類號: | H01P1/20;H01Q15/24;G02B5/20;G02B5/30 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 中國臺灣臺南*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬性 結(jié)構(gòu) 光電 裝置 | ||
1.一種金屬性結(jié)構(gòu),用以對一電磁波進(jìn)行濾波或偏極化,其中該金屬性結(jié)構(gòu)包含:
一可透光介質(zhì);
一第一金屬性塊,設(shè)置于該可透光介質(zhì)中或上:以及
一第二金屬性塊,設(shè)置于該可透光介質(zhì)中或上并與該第一金屬性塊實(shí)質(zhì)平行且相距有一預(yù)設(shè)距離,其中該電磁波入射至該第一金屬性塊與該第二金屬性塊上及該第一金屬性塊與該第二金屬性塊之間,該電磁波穿過該金屬性結(jié)構(gòu)后具一穿透率對波長的分布曲線,該穿透率對波長的分布曲線具有至少一穿透率峰值,該至少一穿透率峰值一對一地分別對應(yīng)至至少一波長,該預(yù)設(shè)距離與該第一金屬性塊的一平均寬度滿足下列關(guān)系:
d<λ;
0.01λ<w<d;
其中d代表該預(yù)設(shè)距離;λ代表該至少一波長的其中一者;w代表該第一金屬性塊的該平均寬度。
2.如權(quán)利要求1所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該預(yù)設(shè)距離與該第一金屬性塊的該平均寬度滿足下列關(guān)系:
d+w<λ。
3.如權(quán)利要求1所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該第一金屬性塊的該平均長度滿足下列關(guān)系:
l<2λ,其中l(wèi)代表該第一金屬性塊的該平均長度。
4.如權(quán)利要求1所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中λ對應(yīng)至該至少一穿透率峰值中的一者,該至少一穿透率峰值中的該者為一第一穿透率峰值,該第一穿透率峰值大于10%,而該第一穿透率峰值與70%的該第一穿透率峰值間所對應(yīng)的光譜半寬度小于2λ/3。
5.如權(quán)利要求1所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該電磁波包含一范圍波長,該范圍波長實(shí)質(zhì)介于0.1微米至12微米之間。
6.如權(quán)利要求1所述的金屬性結(jié)構(gòu),更包含:
一第三金屬性塊,設(shè)置于該可透光介質(zhì)中或上并相鄰于該第一金屬性塊和該第二金屬性塊的一側(cè)。
7.如權(quán)利要求6所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該第三金屬性塊不同時接觸該第一金屬性塊和該第二金屬性塊。
8.如權(quán)利要求6所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該第三金屬性塊的延伸實(shí)質(zhì)垂直于該第一金屬性塊和該第二金屬性塊的延伸。
9.如權(quán)利要求6所述的金屬性結(jié)構(gòu),更包含:
一第四金屬性塊,設(shè)置于該可透光介質(zhì)中或上并相鄰于該第一金屬性塊和該第二金屬性塊的另一側(cè)。
10.如權(quán)利要求9所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該第四金屬性塊不同時接觸該第一金屬性塊和該第二金屬性塊。
11.如權(quán)利要求9所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該第四金屬性塊的延伸實(shí)質(zhì)垂直于該第一金屬性塊和該第二金屬性塊的延伸。
12.如權(quán)利要求9所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該第四金屬性塊與該第三金屬性塊間的距離小于2λ。
13.如權(quán)利要求9所述的金屬性結(jié)構(gòu),更包含:
一金屬性框,設(shè)置于該可透光介質(zhì)中或上,其中該第一金屬性塊、該第二金屬性塊、該第三金屬性塊和/或該第四金屬性塊位于該金屬性框中或與該金屬性框部分重迭。
14.一種金屬性結(jié)構(gòu),用以對一電磁波進(jìn)行濾波或偏極化,其中該金屬性結(jié)構(gòu)包含:
一可透光介質(zhì);以及
一金屬性陣列,設(shè)置于該可透光介質(zhì)中或上,該金屬性陣列包含數(shù)個陣列單元,每一該些金屬性陣列單元包含:
一第一金屬性塊,設(shè)置于該可透光介質(zhì)中或上:以及
一第二金屬性塊,設(shè)置于該可透光介質(zhì)中或上并與該第一金屬性塊實(shí)質(zhì)平行且相距有一預(yù)設(shè)距離,其中該電磁波入射至該第一金屬性塊與該第二金屬性塊之間,該電磁波穿過該金屬性結(jié)構(gòu)后具一穿透率對波長的分布曲線,該穿透率對波長的分布曲線具有至少一穿透率峰值,該至少一穿透率峰值分別對應(yīng)至至少一波長,該預(yù)設(shè)距離與該第一金屬性塊的一平均寬度滿足下列關(guān)系:
d<λ;
0.01λ<w<d;
其中d代表該預(yù)設(shè)距離;λ代表該至少一波長的其中一者;w代表該第一金屬性塊的該平均寬度。
15.如權(quán)利要求14所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該預(yù)設(shè)距離與該第一金屬性塊的一平均寬度滿足下列關(guān)系:
d+w<λ。
16.如權(quán)利要求14所述的金屬性結(jié)構(gòu),其中該第一金屬性塊的該平均長度滿足下列關(guān)系:
l<2λ,其中l(wèi)代表該第一金屬性塊的該平均長度。
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