[發明專利]一種具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管及其制作方法

在審

• 申請號: 201210485519.4
• 申請日: 2012-11-18
• 公開（公告）號: CN105118906A
• 公開（公告）日: 2015-12-02
• 發明（設計）人: 武勝利;肖志國;劉琦;閆曉紅;李倩影;唐勇
• 申請（專利權）人: 大連路美芯片科技有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管，包括藍寶石襯底、GaN外延層、透明導電層、P、N電極(打線盤)，其特征在于，所述的透明導電層是由導電介質連接的多個分立的透明膜塊構成。

2.如權利要求1所述的具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管，其特征在于所述GaN外延層的厚度是3-6μm。

3.根據權利要求書1所述的具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管，其特征在于透明導電層的材料可以是ITO(IndiumTinOxide)，其厚度是

4.根據權利要求書1所述的具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管，其特征在于連接透明導電膜塊的導電介質為NiAu、ZnO。

5.根據權利要求書1所述的具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管，其特征在于分立的ITO透明導電膜塊位于P型GaN層之上，各膜塊由導電介質NiAu連接。

6.根據權利要求1所述的具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管，其特征在于所述透明導電膜塊之間的距離是6-20μm。

7.根據權利要求1所述的具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管，其特征在于所述P型電極材料可以是CrAu、TiPtAu、TiAl。

8.根據權利要求1所述的GaN基發光二極管，N型電極材料可以是CrAu、TiPtAu、TiNiAl。

9.一種具有多膜塊透明導電層的GaN基發光二極管的制作方法包括：

(1)用MOCVD外延生長GaN基發光二極管外延層。

(2)清洗外延片。

(3)在外延片上光刻形成發光二極管圖形，采用干法刻蝕(如ICP，IRE)的方法進行刻蝕，形成P型GaN發光平臺和N型GaN的獨立結構。刻蝕深度可以是0.8-1.5μm。

(4)使用濺射、電子束蒸鍍方法在發光平臺表面鍍ITO透明導電膜。再采用光刻、化學腐蝕等方法，將ITO導電膜制作成為分立的導電膜塊。

(5)采用電子束蒸鍍等方法將Ni/Au導電介質蒸鍍到ITO膜表面，再采用光刻、腐蝕方法形成定區域的連接ITO分立的導電膜塊的薄膜。

(6)對透明導電膜進行退火。

(7)制作P、N金屬打線電極。

(8)采用研磨、切割方法形成獨立的發光二極管芯片。