[發明專利]一種鉭酸鋰薄膜離子束增強沉積制備工藝方法

無效

• 申請號: 201210485470.2
• 申請日: 2012-11-26
• 公開（公告）號: CN102943244A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 張德銀;李坤;彭衛東;錢偉;包勇;王宇;張熙;高峰;趙國柱
• 申請（專利權）人: 中國民用航空飛行學院
• 主分類號: C23C14/46
• 分類號: C23C14/46;C23C14/08;C23C14/58;C23C14/34
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1.一種鉭酸鋰薄膜的離子束增強沉積制備方法，其特征在于，選用以高純醋酸鋰與五氧化二鉭為原料燒結成的濺射靶，用高純Ar氣產生的氬離子束對靶材進行轟擊，高劑量離子束轟擊靶材將產生α態粒子，最后在襯底片上Pt/Ti/SiO₂/Si(100)沉積形成薄膜，采用上述方法制備的離子束增強沉積LiTaO₃薄膜經氧氣氛退火，可以獲得均勻、致密、高取向的多晶結構LiTaO₃薄膜。

2.根據權利書要求1所述的一種鉭酸鋰薄膜的離子束增強沉積制備方法，其特征在于，所選用的濺射靶材是以醋酸鋰與五氧化二鉭為原料燒結而成，濺射前腔體的本底真空度為5×10^-3pa，所用襯底片為Pt/Ti/SiO₂/Si(100)；濺射離子源所用離子源氣體為Ar氣。

3.根據權利書要求1所述的一種鉭酸鋰薄膜的離子束增強沉積制備方法，其特征在于，所述離子束增強沉積中，離子束增強沉積制備鉭酸鋰薄膜的主要工藝參數為：樣品自轉角速度10～20r/min、公轉角速度5～10r/min、氬氣流速10～18cm³/s、工作腔體壓力1～4.5×10^-2pa、燈絲電流8～13A、陽極電流0.8～1.2A、抑制電壓100V、濺射源高壓：2500V、高壓電流60～70mA。

4.根據權利書要求1所述的一種鉭酸鋰熱釋電薄膜的離子束增強沉積制備方法，其特征在于，所述熱處理中，退火氣氛為O₂，流量為1.5～2L/min，退火過程分兩段：第一段為低溫退火，退火溫度設定為200～250℃，溫度保持時間為4～5min，第二段為高溫結晶退火，退火溫度設為550℃～650℃，高溫保持時間為5～10min，低溫與高溫之間的溫度上升率為15～20℃/s。