[發(fā)明專利]一種鉭酸鋰薄膜離子束增強(qiáng)沉積制備工藝方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210485470.2
• 申請(qǐng)日: 2012-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN102943244A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張德銀;李坤;彭衛(wèi)東;錢偉;包勇;王宇;張熙;高峰;趙國(guó)柱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)民用航空飛行學(xué)院
• 主分類號(hào): C23C14/46
• 分類號(hào): C23C14/46;C23C14/08;C23C14/58;C23C14/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鉭酸鋰薄膜的離子束增強(qiáng)沉積制備方法，其特征在于，選用以高純醋酸鋰與五氧化二鉭為原料燒結(jié)成的濺射靶，用高純Ar氣產(chǎn)生的氬離子束對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，高劑量離子束轟擊靶材將產(chǎn)生α態(tài)粒子，最后在襯底片上Pt/Ti/SiO₂/Si(100)沉積形成薄膜，采用上述方法制備的離子束增強(qiáng)沉積LiTaO₃薄膜經(jīng)氧氣氛退火，可以獲得均勻、致密、高取向的多晶結(jié)構(gòu)LiTaO₃薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利書要求1所述的一種鉭酸鋰薄膜的離子束增強(qiáng)沉積制備方法，其特征在于，所選用的濺射靶材是以醋酸鋰與五氧化二鉭為原料燒結(jié)而成，濺射前腔體的本底真空度為5×10^-3pa，所用襯底片為Pt/Ti/SiO₂/Si(100)；濺射離子源所用離子源氣體為Ar氣。

3.根據(jù)權(quán)利書要求1所述的一種鉭酸鋰薄膜的離子束增強(qiáng)沉積制備方法，其特征在于，所述離子束增強(qiáng)沉積中，離子束增強(qiáng)沉積制備鉭酸鋰薄膜的主要工藝參數(shù)為：樣品自轉(zhuǎn)角速度10～20r/min、公轉(zhuǎn)角速度5～10r/min、氬氣流速10～18cm³/s、工作腔體壓力1～4.5×10^-2pa、燈絲電流8～13A、陽極電流0.8～1.2A、抑制電壓100V、濺射源高壓：2500V、高壓電流60～70mA。

4.根據(jù)權(quán)利書要求1所述的一種鉭酸鋰熱釋電薄膜的離子束增強(qiáng)沉積制備方法，其特征在于，所述熱處理中，退火氣氛為O₂，流量為1.5～2L/min，退火過程分兩段：第一段為低溫退火，退火溫度設(shè)定為200～250℃，溫度保持時(shí)間為4～5min，第二段為高溫結(jié)晶退火，退火溫度設(shè)為550℃～650℃，高溫保持時(shí)間為5～10min，低溫與高溫之間的溫度上升率為15～20℃/s。