[發明專利]具有石墨烯的硒化鎘透明薄膜太陽電池有效
| 申請號： | 201210485432.7 | 申請日： | 2012-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN102931249A | 公開（公告）日： | 2013-02-13 |
| 發明（設計）人： | 黃代繪;李衛 | 申請（專利權）人： | 西南交通大學 |
| 主分類號： | H01L31/0296 | 分類號： | H01L31/0296;H01L31/0224;H01L31/073 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610031 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 石墨 硒化鎘 透明 薄膜 太陽電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有石墨烯的硒化鎘透明薄膜太陽電池，其結構為：石墨烯/CdSe/ZnSe/ZnO，其特征是：石墨烯作為透明電池的背接觸層，ZnO作為太陽電池的透明前電極，襯底可以是石墨烯本身，也可直接轉移到可支撐的透明剛性襯底，還可以直接轉移到可支撐的透明柔性襯底上。
2.如權利要求1所述具有石墨烯的硒化鎘透明薄膜太陽電池，其特征是：石墨烯為n型；CdSe為n型ZnSe為p型，載流子濃度為1016～1019cm-3；ZnO為p型，載流子濃度為1016～1021cm-3。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
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H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
