[發明專利]制備超飽和硫系元素摻雜硅的方法

無效

• 申請號: 201210484770.9
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN102938435A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 王科范;劉孔;曲勝春;王占國
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0224
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種制備超飽和硫系元素摻雜硅的方法，包括如下步驟：

步驟1：選擇一襯底；

步驟2：對襯底表面進行制絨；

步驟3：對制絨后的襯底進行超飽和硫系元素離子注入；

步驟4：對硫系元素離子注入后的襯底進行激光退火，消除離子注入產生的晶格缺陷，完成制備。

2.根據權利要求1所述的制備超飽和硫系元素摻雜硅的方法，其中襯底的材料為硅單晶片。

3.根據權利要求1所述的制備超飽和硫系元素摻雜硅的方法，其中離子注入后硫系元素在襯底中的原子濃度為5×10¹⁹cm^-3-1×10²¹cm^-3。

4.根據權利要求1所述的制備超飽和硫系元素摻雜硅的方法，其中硫系元素包括硫、硒或碲。