[發(fā)明專利]存儲元件和存儲設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210484675.9
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN103137852A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肥后豐;細見政功;大森廣之;別所和宏;淺山徹哉;山根一陽;內(nèi)田裕行
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/02;G11C11/15
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種存儲元件，包括：

分層結(jié)構(gòu)，其包括：

存儲層，其具有根據(jù)信息來變化的磁化方向，通過在所述分層結(jié)構(gòu)的層壓方向上施加電流來改變所述磁化方向以將信息記錄在所述存儲層中，所述存儲層包括：

第一鐵磁層，其具有傾斜于與膜表面垂直的方向的磁化方向，

鍵合層，其層壓在所述第一鐵磁層上，以及

第二鐵磁層，其層壓在所述鍵合層上，并經(jīng)由所述鍵合層與所述第一鐵磁層鍵合，所述第二鐵磁層具有傾斜于與所述膜表面垂直的方向的磁化方向，

所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層中的一個鐵磁層是主要發(fā)生面內(nèi)磁化的面內(nèi)磁化層，另一鐵磁層是主要發(fā)生垂直磁化的垂直磁化層；

磁化固定層，其具有固定的磁化方向；

中間層，其被配置在所述存儲層與所述磁化固定層之間，并與所述第一鐵磁層接觸；以及

覆蓋層，其與所述第二鐵磁層接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，

所述第一鐵磁層是面內(nèi)磁化層，以及所述第二鐵磁層是垂直磁化層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲元件，其中，

由所述第一鐵磁層的磁化與垂直于所述膜表面的方向形成的角度大于由所述第二鐵磁層的磁化與垂直于所述膜表面的方向形成的角度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，

所述第一鐵磁層是垂直磁化層，以及所述第二鐵磁層是面內(nèi)磁化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲元件，其中，

由所述第一鐵磁層的磁化與垂直于所述膜表面的方向形成的角度小于由所述第二鐵磁層的磁化與垂直于所述膜表面的方向形成的角度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，

所述中間層是隧道絕緣層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，

所述覆蓋層包括氧化物層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲元件，其中，

所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層包括Co-Fe-B層。

9.一種存儲設(shè)備，包括：

存儲元件，具有：

分層結(jié)構(gòu)，其包括：

存儲層，其具有根據(jù)信息來變化的磁化方向，通過在所述分層結(jié)構(gòu)的層壓方向上施加電流來改變所述磁化方向以將信息記錄在所述存儲層中，所述存儲層包括：

第一鐵磁層，其具有傾斜于與膜表面垂直的方向的磁化方向，

鍵合層，其層壓在所述第一鐵磁層上，以及

第二鐵磁層，其層壓在所述鍵合層上，并經(jīng)由所述鍵合層與所述第一鐵磁層鍵合，所述第二鐵磁層具有傾斜于與所述膜表面垂直的方向的磁化方向，

所述第一鐵磁層和所述第二鐵磁層中的一個鐵磁層是主要發(fā)生面內(nèi)磁化的面內(nèi)磁化層，另一鐵磁層是主要發(fā)生垂直磁化的垂直磁化層；

磁化固定層，其具有固定的磁化方向；

中間層，其被配置在所述存儲層與所述磁化固定層之間，并與所述第一鐵磁層接觸；以及

覆蓋層，其與所述第二鐵磁層接觸；

互連部，其將在所述層壓方向上流動的電流提供給所述存儲元件；以及

電流供應(yīng)控制器，其控制經(jīng)由所述互連部向所述存儲元件的電流供應(yīng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲設(shè)備，其中，

所述第一鐵磁層是面內(nèi)磁化層，以及所述第二鐵磁層是垂直磁化層。