[發明專利]一種單向導通電路

有效

• 申請號: 201210483872.9
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN102970017A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 金津
• 申請（專利權）人: 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及電力電子領域，尤其涉及一種單向導通電路。

背景技術

參考圖1A，100A所示為一常用的自舉二極管應用于開關電源的原理框圖。其中芯片供電電壓V_CC對控制電路101進行供電以控制和驅動主開關管Q₁和同步開關管Q₂。當同步開關管Q₂導通時，芯片供電電壓V_CC提供的充電電流會經過自舉二極管D₁對電容C進行充電，而芯片內集成的自舉二極管正向導電時，將可能觸發存在于襯底和阱中的PNPN結構，導致閂鎖效應，也可能從芯片供電電源到地產生大電流使整個芯片的失效或功能性錯誤甚至燒毀。

參考圖1B，100B為另一種常用的二極管應用電路，其中開關管M0為JFET或耗盡型場效應管（圖中以JFET為例）將經過整流后的正弦半波電壓V_AC轉換為一定幅值的直流輸出作為芯片的供電電壓V_CC。穩壓二極管D_Z的擊穿電壓為V_CC，當輸入電壓低于V_CC時，二極管D₂反向截止，當輸入電壓高于V_CC時，片內集成二極管流過正向電流同樣可能引起閂鎖效應導致芯片無法正常工作。由此可見在需要電流單向流通的場合中采用二極管而引發的寄生效應不可忽視。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提供一種單向導通電路，以克服芯片內集成二極管時，流過二級管的正向電流引起閂鎖效應導致芯片失效甚至損毀的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

依據本發明一實施例的一種單向導通電路，電流從其第一連接端流向第二連接端而不能反向流通，包括一主MOS管和一阻抗電路；

其中所述阻抗電路的第一端口連接至所述主MOS管的源極，其第二端口連接至所述主MOS管的柵極；

當電流從所述第一連接端流向第二連接端時，所述阻抗電路的電壓大于所述主MOS管的導通閾值電壓，所述主MOS管導通，電流完全流過所述主MOS管的溝道而不經過其體二極管；

當電流從所述第二連接端流向第一連接端時，所述主MOS管關斷的同時其體二極管反偏。

進一步的，所述阻抗電路上的電壓小于所述主MOS管的額定柵源電壓。

優選的，所述主MOS管為P型MOS管，其漏極連接端為所述第一連接端；所述阻抗電路的第二端口為所述第二連接端。

優選的，所述主MOS管為N型MOS管，其漏極連接端為所述第二連接端；所述阻抗電路的第二端口為所述第一連接端。

優選的，所述阻抗電路包括一電阻。

優選的，所述阻抗電路包括至少一個從MOS管，所述從MOS管串聯連接，當電流從所述第一連接端流向第二連接端時，所述從MOS管的體二極管反偏。

經由上述的技術方案可知，與現有技術相比，本發明提供了一種單向導通電路，利用一阻抗電路與一主MOS管連接，所述阻抗電路上的壓降控制主MOS管強制導通，正向電流完全從主MOS管的溝道流過而不經過其體二極管，解決了在需要二極管正向導通電流的應用場合片內集成二極管時，所產生的寄生效應帶來的影響，其運用靈活多變，實用性高。通過下文優選實施例的具體描述，本發明的上述和其他優點更顯而易見。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1A所示為一常用的自舉二極管應用于開關電源的原理框圖；

圖1B所示為另一種常用的二極管應用電路；

圖2所示為依據本發明的單向導通電路的第一實施例的原理框圖；

圖3所示為依據本發明的單向導通電路的第二實施例的原理框圖；

圖4所示為依據本發明的單向導通電路的第三實施例的原理框圖；

圖5所示為依據本發明的單向導通電路的第四實施例的原理框圖；

圖6所述為一種依據本發明的單向導通電路的應用電路。

具體實施方式