[發(fā)明專利]電極的制造方法、熔絲裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210483777.9
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN103839919B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設計）人: 李瑩;吳關平
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 曲瑞

1.一種制造電極的方法，包括以下步驟：

在襯底上依次形成第一電介質層、第二電介質層和第三電介質層；

通過第一蝕刻處理，在所述第三電介質層和所述第二電介質層中形成第一通孔；

在所述第三電介質層上形成第四電介質層，所述第四電介質層覆蓋所述第一通孔的側壁和底壁；

通過第二蝕刻處理，去除所述第一通孔的底壁上的所述第四電介質層以露出所述第一電介質層，而保留所述第一通孔的側壁上的所述第四電介質層；

通過以所述第一通孔的側壁上的所述第四電介質層作為蝕刻阻擋層進行第三蝕刻處理，在所述第一電介質層中形成從露出的所述第一電介質層至所述襯底的第二通孔；

在所述第二通孔中填充電極材料；以及

通過拋光處理，形成嵌入在所述第一電介質層中的所述電極；

其中，所述第一電介質層和所述第三電介質層的材料為硅氧化物；所述第二電介質層的材料為硅氮化物；

所述拋光處理停止在所述第一電介質層的表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的制造電極的方法，其中，所述電極具有亞光刻尺寸。

3.根據(jù)權利要求2所述的制造電極的方法，其中，所述電極的尺寸小于或等于100nm。

4.根據(jù)權利要求3所述的制造電極的方法，其中，所述電極的尺寸小于或等于75nm。

5.一種制造熔絲裝置的方法，包括以下步驟：

使用根據(jù)權利要求1至4中任一項所述的制造電極的方法來形成第一電極；以及

形成與所述第一電極接觸的熔絲元件，

其中，所述熔絲元件包含相變材料。

6.根據(jù)權利要求5所述的制造熔絲裝置的方法，其中，所述相變材料是摻雜或未摻雜的硫屬化物。

7.根據(jù)權利要求6所述的制造熔絲裝置的方法，其中，所述相變材料是摻雜或未摻雜的Ge-Sb-Te材料，或者是摻雜或未摻雜的Sb-Te材料。

8.根據(jù)權利要求5所述的制造熔絲裝置的方法，其中，所述相變材料的層厚度小于或等于30nm。

9.根據(jù)權利要求8所述的制造熔絲裝置的方法，其中，當經(jīng)由所述第一電極給所述熔絲元件施加電流小于或等于3mA的脈沖時，所述熔絲元件產生相變，從而使所述熔絲裝置處于斷開狀態(tài)。

10.根據(jù)權利要求5所述的制造熔絲裝置的方法，其中，所述熔絲元件和所述第一電極中的每一個被嵌入在層間電介質或金屬間電介質中。

11.根據(jù)權利要求5所述的制造熔絲裝置的方法，還包括以下步驟：

形成第二電極，所述第一電極和所述第二電極位于所述熔絲元件的相對側。