[發(fā)明專利]低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210483506.3
• 申請日: 2012-11-22
• 公開（公告）號: CN102969114A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柯昕
• 申請（專利權(quán)）人: 德清森騰電子科技有限公司
• 主分類號: H01F1/147
• 分類號: H01F1/147;H01F1/08;B22D11/06;B22F9/04;C22C38/06
• 代理公司: 杭州豐禾專利事務(wù)所有限公司 33214
• 代理人: 王從友

1.低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料，其特征在于：所述的鐵硅鋁粉末在制粉工藝中采用甩帶機(jī)高速冷卻方法制帶，冷卻速度在10⁴~10⁶℃/秒；并通過氣氛保護(hù)的機(jī)械破碎，制成扁平狀鐵硅鋁粉末。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料，其特征在于：所述的鐵硅鋁粉末材料中Si的重量含量為9％～10％，Al的重量含量為5%-6%。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料，其特征在于：所述的鐵硅鋁粉末材料中還包括0.5%-1%重量含量的Cr。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料，其特征在于：所述的鐵硅鋁粉末材料中還包括0.5%-1%重量含量的Ni。

5.低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料的制備方法，其特征在于：所述的鐵硅鋁粉末在制粉工藝中采用甩帶機(jī)高速冷卻方法制帶，冷卻速度在10⁴~10⁶℃/秒；并通過氣氛保護(hù)的機(jī)械破碎，制成扁平狀鐵硅鋁粉末。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料的制備方法，其特征在于：所述的鐵硅鋁粉末材料中Si的重量含量為9％～10％，Al的重量含量為5%-6%。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料的制備方法，其特征在于：所述的鐵硅鋁粉末材料中還包括0.5%-1%重量含量的Cr。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低磁導(dǎo)率、低功耗的鐵硅鋁粉末材料的制備方法，其特征在于：所述的鐵硅鋁粉末材料中還包括0.5%-1%重量含量的Ni。