[發明專利]基板的連接結構及其制法有效
| 申請號: | 201210482795.5 | 申請日: | 2012-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN103811442A | 公開(公告)日: | 2014-05-21 |
| 發明(設計)人: | 林志生;陳俊龍;李信宏 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/485 | 分類號: | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 連接 結構 及其 制法 | ||
1.一種基板的連接結構,該基板具有多個連接墊及外露該些連接墊的絕緣保護層,該連接結構包括:
金屬層,其設于該連接墊的外露表面上并延伸至該絕緣保護層上;以及
導電凸塊,其設于該金屬層上,且該導電凸塊的寬度小于該連接墊的寬度,而各該導電凸塊之間的距離小于或等于80μm。
2.根據權利要求1所述的基板的連接結構,其特征在于,該金屬層包含鈦、銅或鎳。
3.根據權利要求1所述的基板的連接結構,其特征在于,該導電凸塊為銅柱。
4.一種基板的連接結構的制法,其包括:
提供具有多個連接墊的一基板,該基板表面上形成有外露出該些連接墊的絕緣保護層;
形成第一阻層于該絕緣保護層上,且于該第一阻層上形成有第一開口,以令該連接墊及部分該絕緣保護層外露于該第一開口;
形成金屬結構于該第一開口中與該第一阻層上;
移除該第一阻層上的該金屬結構,令該金屬結構僅位于該第一開口中以作為金屬層,使該金屬層形成于該連接墊的外露表面上,且該金屬層延伸至該絕緣保護層上;
移除該第一阻層;以及
形成導電凸塊于該金屬層上,且該導電凸塊的寬度小于該連接墊的外露表面的寬度。
5.根據權利要求4所述的基板的連接結構的制法,其特征在于,形成該第一阻層的材質為鋁、銅或鎳/釩。
6.根據權利要求4所述的基板的連接結構的制法,其特征在于,該第一阻層的開口以蝕刻方式形成者。
7.根據權利要求4所述的基板的連接結構的制法,其特征在于,該金屬層包含鈦、銅或鎳。
8.根據權利要求4所述的基板的連接結構的制法,其特征在于,該導電凸塊為銅柱。
9.根據權利要求4所述的基板的連接結構的制法,其特征在于,各該導電凸塊之間的距離小于或等于80μm。
10.根據權利要求4所述的基板的連接結構的制法,其特征在于,形成該導電凸塊的工藝包括:
形成第二阻層于該絕緣保護層及該金屬層上,且于該第二阻層上形成有第二開口,以令該金屬層的部分表面外露于該第二開口;
形成該導電凸塊于該第二開口中;以及
移除該第二阻層。
11.根據權利要求10所述的基板的連接結構的制法,其特征在于,該第二開口的口徑尺寸小于該連接墊的外露表面的投影面積。
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