[發明專利]單晶長晶裝置及長晶方法

無效

• 申請號: 201210482584.1
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN103710741A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 樸鐘仁;李鐘贊;金玹洙;洪榮坤
• 申請（專利權）人: BIAM株式會社
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B29/20
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 吳俊

1.一種單晶長晶裝置，其特征在于：包括真空或非活性氛圍腔體10；位于腔體10內部，為了培養籽晶A成長可按上下移動地設置的坩堝30；相對于坩堝30側面整個周圍、固定地設置的側部加熱器22；相對于坩堝30下部、固定地設置的下部加熱器24；依次貫穿腔體10和下部加熱器24到達坩堝30，可上下移動地設置的冷卻棒40。

2.根據權利要求1所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述腔體10包括上部護板12，下部護板14及一體地結合在上部護板12和下部護板之間的圓筒狀側部護板16，內部裝放有坩堝，側部加熱器22及下部加熱器24；所述下部護板14具有從下面向外一體地突出形成，可防止由高溫熱遲滯引發的變形的形狀維持用支撐條14a。

3.根據權利要求2所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述形狀維持用支撐條14a的數量至少是一個以上，位于下部護板14下面的相向的部位。

4.根據權利要求3所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述形狀維持用支撐條14a以長條形狀長長地形成在下部護板14的下面。

5.根據權利要求3所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述形狀維持用支撐條14a以與下部護板14外周面切線方向平行的方向延伸形成。

6.根據權利要求3至5的任意一項所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述形狀維持用支撐條14a的自由端部分別與相鄰的其他形狀維持用支撐條14a自由端部相隔開。

7.根據權利要求1至5的任意一項所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

還包括驅動冷卻棒40，讓坩堝30按上下方向做往返運動的驅動單元50；對側部加熱器22和下部加熱器24各自的加熱條件，被驅動單元50上下移動的冷卻棒40上下方向運動條件進行控制的配電設備7。

8.根據權利要求1所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述冷卻棒40在內部具有可讓熱交換媒介循環的通路，向腔體10下部突出地設置；所述坩堝30的中央部位形成有用于裝放所述冷卻棒40的上部，向下突出、具有結合凹槽34a的結合部34。

9.根據權利要求8所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述坩堝30的底面32與內側壁面36形成鈍角。

10.根據權利要求9所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述底面32與所述內側壁面36形成的角度為90°至135°。

11.根據權利要求9所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述坩堝30的底面32與結合部34相接的內側部分形成曲面38。

12.根據權利要求11所述的單晶長晶裝置，其特征在于：

所述曲面38的曲率半徑為5mm至50mm。

13.一種單晶長晶方法，以單晶長晶爐1及結合在其下部的熱交換器，通過熱交換法培養藍寶石單晶成長，其特征在于：包括

在位于單晶長晶爐1內的腔體10內，通過下部護板14把坩堝30的結合部34結合在冷卻棒40的上部，把籽晶A安放在坩堝30底面32后，把藍寶石原料投放到坩堝30內部的準備階段；

讓設置在腔體10內坩堝30側部整個周圍的側部加熱器22與設置在坩堝30下部的下部加熱器24進行加熱，熔融藍寶石原料的同時，通過冷卻棒40與熔融的藍寶石原料進行熱交換，并讓坩堝20與冷卻棒40上下往返運動，以熔融的藍寶石原料培養藍寶石單晶成長的長晶階段。

14.根據權利要求13所述的單晶長晶方法，其特征在于：

所述長晶階段包括在單晶長晶過程中進行的對側部加熱器22和下部加熱器24的個別加熱條件進行控制的階段及對以驅動單元50讓冷卻棒40上下運動的運動條件進行控制的階段。