[發明專利]導電圖案形成方法和導電圖案形成系統無效
| 申請號: | 201210480501.5 | 申請日: | 2012-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN103137556A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 勝村學 | 申請(專利權)人: | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 柴麗敏;于輝 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 導電 圖案 形成 方法 系統 | ||
1.導電圖案形成方法(S10-S28),包括步驟:
通過從第一噴墨頭(50)排出包含導電聚合物或者以預定含量比率包含所述導電聚合物和金屬微顆粒的第一功能流體(3A-3E),而在基底材料(1,2)上形成(S22)第一圖案(3);
通過從第二噴墨頭(50)排出包含導電聚合物和金屬微顆粒的第二功能流體(3A-3E)而在所述第一圖案上形成(S22)第二圖案(3),其中與所述第一功能流體相比,所述第二功能流體中的導電聚合物的含量比率減小而金屬微顆粒的含量比率增大;以及
通過從第三噴墨頭(50)排出包含導電聚合物和金屬微顆粒的第三功能流體(3A-3E),在所述第二圖案上形成(S22)第三圖案(3),其中與所述第二功能流體相比,所述第三功能流體中的導電聚合物的含量比率降低且金屬微顆粒的含量比率增大,由此,
形成導電圖案(3),所述導電圖案至少包括第一圖案(3)、第二圖案(3)和第三圖案(3),并且所述導電圖案具有漸變的組成,其中,通過利用具有導電聚合物和金屬微顆粒的不同含量比率的三種或者更多種類型的功能流體(3A-3E),從所述基底材料開始,沿著厚度方向,導電聚合物的含量比率降低而金屬微顆粒的含量比率增大。
2.如權利要求1所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,所述導電圖案(3)是形成在所述基底材料(1,2)上的電氣布線(3)。
3.如權利要求1或2所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,所述導電圖案(3)是具有對應于構成所述導電圖案的點的直徑(D2)的寬度的電氣布線(3)。
4.如權利要求3所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,所述導電圖案(3)是具有如下結構的電極,其中,具有對應于構成所述導電圖案的點的直徑(D2)的寬度的多個電氣布線在所述電氣布線的寬度方向進行連接。
5.如權利要求1或2所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,所述功能流體(3A-3E)包括具有大于或等于75°C且小于或等于105°的沸點的低沸點溶劑。
6.如權利要求1或2所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,所述功能流體(3A-3E)包括具有大于或等于190°C且小于或等于290°C的沸點的高沸點溶劑。
7.如權利要求1或2所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,當形成所述功能流體(3A-3E)的圖案時,所述基底材料被加熱到大于或等于45°C且小于或等于75°C。
8.如權利要求1或2所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,當形成所述功能流體(3A-3E)的圖案時,從噴墨頭排出的流體的直徑D1、著陸在所述基底材料上的流體的點在所述點的形狀已經穩定后的直徑D2、和形成在所述基底材料上的點之間的點間距W之間的關系滿足以下表達式:
D1<W<D2。
9.如權利要求8所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,所述點直徑D2和所述點間距W之間的關系滿足以下表達式:
W≤D2/2。
10.如權利要求1所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中所述導電圖案(3)是形成在所述基底材料(1,2)上的電極。
11.如權利要求10所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,所述電極具有超過構成所述導電圖案的點的直徑的寬度。
12.如權利要求10或11所述的導電圖案形成方法(S10-S28),其中,當所述基底材料(1,2)和所述噴墨頭(50)相對運動多次時,形成了所述功能流體(3A-3E)的圖案,以及
所述功能流體通過所述基底材料和所述噴墨頭的單次相對運動離散地布置,以及離散布置的功能流體之間的空間通過所述基底材料和所述噴墨頭的多次相對運動被內插。
13.如權利要求1或2所述的導電圖案形成方法(S10-S28),進一步包括半干燥所形成的圖案的步驟。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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