[發(fā)明專利]一種高增益的寬帶低噪聲放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210480327.4 | 申請日： | 2012-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN102983817A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李智群;陳亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26;H03F1/02;H03F3/189 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人： | 湯志武 |
| 地址： | 214135 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 增益 寬帶 低噪聲放大器 | ||
1.一種高增益的寬帶低噪聲放大器，其特征在于：采用有源跨導(dǎo)增強電路，設(shè)有高頻扼流單元、負(fù)載單元以及第一、第二兩個輸入放大單元，射頻輸入信號分別連接第一、第二兩個輸入放大單元的輸入端，第一輸入放大單元的輸出端將放大信號輸入到第二輸入放大單元，第二輸入放大單元的輸出端連接負(fù)載單元，負(fù)載單元輸出射頻輸出信號，第二輸入放大單元的輸入端串聯(lián)高頻扼流單元后接地，其中：
第一輸入放大單元包括NMOS管M1、兩個電阻R1、R2、兩個電容C1、C2，NMOS管M1的柵極與電阻R1的一端以及電容C1的一端連接，電阻R1的另一端連接第一偏置電壓，電容C1的另一端連接射頻輸入信號，NMOS管M1的漏極串聯(lián)電阻R2后連接到電源電壓，同時，NMOS管M1的漏極通過電容C2輸出放大信號，NMOS管M1的源極接地；
第二輸入放大單元包括NMOS管M2、電阻R3，NMOS管M2的柵極連接第一輸入放大單元的放大信號輸出端，并通過串聯(lián)電阻R3后連接第二偏置電壓，NMOS管M2的源極連接射頻輸入信號，NMOS管M2的漏極為第二輸入放大單元的輸出端；
高頻扼流單元包括電感L1，電感L1的一端連接到第二輸入放大單元NMOS管M2的源極，電感L1的另一端接到地；
負(fù)載單元包括電阻R4，電阻R4的一端連接第二輸入放大單元的輸出端，此端也是射頻輸出信號端，電阻R4的另一端連接電源電壓。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東南大學(xué)，未經(jīng)東南大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210480327.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
