[發明專利]絕緣隱埋層中有帶電區的襯底有效
| 申請號： | 201210480105.2 | 申請日： | 2008-03-13 |
| 公開（公告）號： | CN102983167A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | F·阿利貝爾;G·戈丹;F·拉勒芒;D·朗德呂;K·朗德里;M·沙欣;C·馬聚 | 申請（專利權）人： | SOITEC公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/32 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 隱埋層中有 帶電 襯底 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
-連續包括基底晶片（1）、絕緣層（2）和半導體頂層（3）的襯底，
-所述半導體頂層（3）上的圖像傳感器器件，
所述半導體結構的特征在于，所述絕緣層（2）包括電荷密度的絕對值在1010電荷/cm2以上的區域。
2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述絕緣層（2）包括兩個擴散阻擋層（6）之間的電荷限制層（5），其中所述電荷限制層（5）的電荷密度的絕對值在1010電荷/cm2以上。
3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述電荷限制層（5）由氮化硅制成，所述擴散阻擋層由二氧化硅制成。
4.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述電荷限制層（5）由二氧化硅制成，所述擴散阻擋層（6）由氮化硅制成。
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