[發明專利]用于后段半導體器件加工的方法和裝置

有效

• 申請號: 201210480065.1
• 申請日: 2012-11-22
• 公開（公告）號: CN103456681A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 王泓智;陳威戎;梁耀祥;連城廣
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種制造集成電路(IC)的方法，包括：

在金屬層上方形成蝕刻終止層；

在所述蝕刻終止層上方形成低k介電層；

在所述低k介電層上方形成介電硬掩模層；

在所述介電硬掩模層上方形成無氮抗反射層(NFARL)；以及

在所述NFARL上方形成厚度介于約180埃至約360埃范圍內的金屬硬掩模(MHM)層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述MHM層包括TiN材料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述蝕刻終止層包括從基本上由SiC、SiN、四乙基原硅酸鹽(TEOS)或硬黑金剛石(HBD)組成的組選擇的材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述低k介電層包括從基本上由氧化物、SiO₂、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、TEOS、旋涂式玻璃(SOG)、非摻雜硅酸鹽玻璃(USG)、氟化硅酸鹽玻璃(FSG)、高密度等離子體(HDP)氧化物、或等離子體增強TEOS(PETEOS)組成的組選擇的材料。

5.一種器件，包括：

位于金屬層上方的蝕刻終止層；

位于所述蝕刻終止層上方的低k介電層；

位于所述低k介電層上方的介電硬掩模層；

位于所述介電硬掩模層上方的無氮抗反射層(NFARL)，以及

位于所述NFARL上方的厚度介于約180埃至約360埃范圍內的金屬硬掩模(MHM)層。

6.根據權利要求5所述的器件，其中，所述MHM層包括TiN材料。

7.根據權利要求5所述的器件，其中，所述蝕刻終止層包括從基本上由SiC、SiN、四乙基原硅酸鹽(TEOS)或硬黑金剛石(HBD)組成的組選擇的材料。

8.根據權利要求5所述的器件，其中，所述低k介電層包括從基本上由氧化物、SiO₂、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、TEOS、旋涂式玻璃(SOG)、非摻雜硅酸鹽玻璃(USG)、氟化硅酸鹽玻璃(FSG)、高密度等離子體(HDP)氧化物、或等離子體增強TEOS(PETEOS)組成的組選擇的材料。

9.一種制造集成電路(IC)的方法，包括：

在金屬層上方形成蝕刻終止層；

在所述蝕刻終止層上方形成低k介電層；

在所述低k介電層上方形成介電硬掩模層；

在所述介電硬掩模層上方形成無氮抗反射層(NFARL)；

在所述NFARL上方形成厚度介于約180埃至約360埃范圍內的金屬硬掩模(MHM)層；

形成穿過所述MHM層、所述NFARL、所述介電硬掩模層、所述低k介電層并且在所述蝕刻終止層處終止的通孔開口；

形成與所述通孔開口連接的溝槽；

沉積阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述通孔開口的側壁和底部以及所述溝槽的側壁；

在所述阻擋層上方沉積晶種層；以及

在所述通孔開口和所述溝槽內形成通孔和接觸件。

10.根據權利要求9所述的器件，其中所述MHM層包括TiN材料。