[發(fā)明專利]水培旱傘草修復(fù)含六價鉻廢水的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210479745.1 | 申請日: | 2012-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN103011411A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高小茵;趙敏慧;陳正華;瞿長波;邵明國;付美春;寧平;邵波昌;李瑞;李濤;楊麗君 | 申請(專利權(quán))人: | 玉溪師范學(xué)院 |
| 主分類號: | C02F3/32 | 分類號: | C02F3/32;A01G31/00;C02F101/22 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 653100 云*** | 國省代碼: | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 水培 旱傘 修復(fù) 含六價鉻 廢水 方法 | ||
1.水培旱傘草修復(fù)含六價鉻廢水的方法,其特征在于:在含有六價鉻濃度為0.1-50mg/L、PH值6-8?、EC值為0.06-9.1ms/cm的廢水中,用水培法栽培水生莎草科植物旱傘草,用旱傘草的根須和莖葉富集吸收廢水中的六價鉻污染物。
2.如權(quán)利要求1所述的水培旱傘草修復(fù)含六價鉻廢水的方法,其特征在于:該方法包括以下步驟:
(a)準(zhǔn)備水培槽:砌筑水培槽,水培槽的槽深50-100cm,用瓷磚粘貼水培槽內(nèi)壁,在水培槽的上部留進(jìn)水口,在水培槽的下部留排水口;
(b)放入含六價鉻的廢水:關(guān)閉水培槽的排水口,將六價鉻濃度為0.1-50mg/L、PH值6-8、EC值0.06-9.1ms/cm的含鉻廢水從進(jìn)水口放入水培槽中,含鉻廢水在水培槽中的深度控制在20-60cm;
(c)準(zhǔn)備漂浮盤:選用塑料漂浮盤,每塊漂浮盤的大小尺寸為長50-80cm,寬40-60cm,在漂浮盤上留栽培孔,栽培孔的孔徑為5-10cm,每塊漂浮盤上留栽培孔?5-48?個,控制栽培密度在25-100株/m2;
(d)水培旱傘草:將株高為30~70cm的旱傘草種植在漂浮盤的栽培孔中,將栽種有旱傘草的漂浮盤放置到盛裝有含六價鉻廢水的水培槽中,旱傘草的根部在下方浸泡在六價鉻廢水中,漂浮盤漂在六價鉻廢水的液面上,在自然的溫光條件下進(jìn)行水培,培植時間為2-6周;
(e)水培期間的管理:旱傘草在水培期間觀察水培槽中六價鉻廢水的液面變化,控制液面下降的范圍不超過5cm,液面下降時向水培槽中添加自來水,使水培槽中六價鉻廢水的液面高度保持不變;
(f)排放處理后的廢水:旱傘草在盛裝有六價鉻廢水的水培槽中培植2-6周以后,對水培槽中的廢水進(jìn)行取樣,檢測經(jīng)過培植旱傘草以后廢水中六價鉻的濃度,當(dāng)六價鉻濃度低于0.1mg/L時,打開排水口,將水培槽中的廢水從排水口排出,水培槽中的水排完以后關(guān)閉排水口,然后從進(jìn)水口重新放入需要處理的六價鉻廢水;
(g)去除根須:旱傘草在盛裝有六價鉻廢水的水培槽中培養(yǎng)結(jié)束以后,旱傘草的根須長度達(dá)到15-30cm,將漂浮盤從水培槽中取出來,剪去旱傘草根部的根須,剔除黃葉;
(h)旱傘草恢復(fù)培養(yǎng):將剪去根須的旱傘草連同漂浮盤一起轉(zhuǎn)移到旱傘草適于生長的營養(yǎng)液池中進(jìn)行恢復(fù)培養(yǎng)15-20天,恢復(fù)培養(yǎng)完成以后,旱傘草可重新使用。
3.如權(quán)利要求2所述的水培旱傘草修復(fù)含六價鉻廢水的方法,其特征在于:在步驟(h)中恢復(fù)培養(yǎng)的營養(yǎng)液組分為:硝酸鉀1.05g/L、硝酸銨0.16g/L、?磷酸銨0.152g/L、?硫酸銨0.16g/L、?硫酸亞鐵0.01g/L,?營養(yǎng)液的EC值為1.5-1.8?ms/cm,PH值為6-8。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于玉溪師范學(xué)院,未經(jīng)玉溪師范學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210479745.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:支撐裝置
- 下一篇:一種大功率光纖傳輸跳線及其制作方法





