[發明專利]一種帶有指示光的半導體激光器芯片結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201210479341.2
• 申請日: 2012-11-22
• 公開（公告）號: CN103050889A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 堯舜;王智勇;賈冠男
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: H01S5/40
• 分類號: H01S5/40
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種帶有指示光的半導體激光器芯片結構，其特征在于：將光譜中包含可見光的發光單元與光譜中只包含不可見光的發光單元集成在同一個半導體激光器芯片上，即在一個半導體激光器芯片上，既有光譜中只包含不可見光的發光單元，也有光譜中包含可見光的發光單元。

2.根據權利要求1所述的一種帶有指示光的半導體激光器芯片結構的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）采用金屬有機化合物化學氣象沉積的方法，在襯底上生長光譜中只包含不可見光的外延層；

2）選擇一個或多個不發光單元，采用標準半導體光刻工藝，去掉這些區域的外延層；

3）在外延層及去掉外延層的區域上生長一層SiO₂；

4）采用標準濕刻工藝，將去掉外延層的區域上的SiO₂除去；

5）采用金屬有機化合物化學氣象沉積的方法，在SiO₂及去掉外延層的區域上生長光譜中包含可見光的外延層；

6）采用標準濕刻工藝，去掉芯片上所有SiO₂層及SiO₂層上部的光譜中包含可見光的外延層；

7）完成包括腐蝕V型槽、制作金屬化電極這些半導體激光芯片前工藝步驟，得到一種其上既有光譜中包含可見光的發光單元，又有光譜中只包含不可見光的發光單元，且各個發光單元之間電學并聯、光學隔離的帶有指示光的半導體激光器芯片結構。

3.根據權利要求2所述方法，其特征在于：以GaAs為襯底的材料。