[發(fā)明專利]具有增強磁阻比的磁換能器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210478642.3
• 申請日: 2012-09-21
• 公開（公告）號: CN103021423A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M·W·科溫頓;Q·何;丁元俊;V·A·瓦斯科
• 申請（專利權(quán)）人: 希捷科技有限公司
• 主分類號: G11B5/39
• 分類號: G11B5/39
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 毛力

1.一種磁傳感器，包括：

設(shè)置在第一和第二鐵磁自由層之間的間隔層的磁響應(yīng)疊層，至少一個鐵磁自由層具有增強磁阻比(MR)的耦合子層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中該第一和第二鐵磁自由層的每一個具有耦合子層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中該磁響應(yīng)疊層設(shè)置在去耦層之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的磁傳感器，其中各個去耦層是鉭。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中該耦合層是FeCoZrTa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中該耦合層是CoFe₄₈B₂₀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中該耦合層是NiFe。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中該第一和第二鐵磁自由層中的每一個是CoFeB合金。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中擴散層設(shè)置在各個耦合子層和鐵磁自由層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的磁傳感器，其中該擴散層是鉭。

11.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中該耦合子層具有與該第一和第二鐵磁自由層不同的磁致伸縮性。

12.根據(jù)權(quán)利要求1的磁傳感器，其中該至少一個鐵磁自由層是凈磁致伸縮性實質(zhì)上為零的耦合子層。

13.一種磁性疊層，包括：

設(shè)置在第一和第二去耦層之間的讀取器疊層，該讀取器疊層包括設(shè)置在第一和第二鐵磁自由層之間的間隔層，各個鐵磁自由層具有耦合子層，該耦合子層與各自的鐵磁自由層被擴散層所分隔開。

14.根據(jù)權(quán)利要求13的磁性疊層，其中各個去耦層和擴散層是鉭。

15.根據(jù)權(quán)利要求13的磁性疊層，其中該間隔層是MgO。

16.根據(jù)權(quán)利要求13的磁性疊層，其中該第一去耦層、第一鐵磁自由層和各自的擴散層具有第一厚度，該第一厚度與由該第二去耦層、第二鐵磁自由層和各自的擴散層所定義的第二厚度實質(zhì)上不同。

17.根據(jù)權(quán)利要求13的磁性疊層，其中至少一個耦合層是NiFe，并且至少一個鐵磁自由層是CoFeB合金。

18.一種方法，包括：

通過在第一和第二鐵磁自由層之間形成間隔層來構(gòu)造磁響應(yīng)疊層；以及

通過鄰近至少一個鐵磁自由層而設(shè)置耦合子層來增強磁響應(yīng)疊層的磁阻比(MR)。

19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中該至少一個耦合子層產(chǎn)生與各個各自的鐵磁自由層的實質(zhì)上為零的凈磁致伸縮性。

20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中關(guān)于該磁響應(yīng)疊層的預(yù)先確定的屏蔽-到-屏蔽的間隔，MR比得到增強。