[發(fā)明專利]制造CIGS薄膜太陽能電池的吸收層的反應(yīng)裝置及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210478386.8 | 申請日: | 2012-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN102983216A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李德林 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳首創(chuàng)光伏有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 cigs 薄膜 太陽能電池 吸收 反應(yīng) 裝置 方法 | ||
1.制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于,包括
一供應(yīng)室,用于提供制造CIGS薄膜太陽能電池的柔性襯底,所述柔性襯底上沉積有預(yù)置層,該供應(yīng)室具有一可密閉的供應(yīng)腔室;
一反應(yīng)室,通過硒化反應(yīng)在所述柔性襯底上制成CIGS半導(dǎo)體吸收層,具有一橫向貫設(shè)于其內(nèi)且可密閉的反應(yīng)通道,所述反應(yīng)通道沿所述柔性襯底進(jìn)入方向分為預(yù)熱區(qū)、反應(yīng)區(qū)和冷卻區(qū);
一收料室,用于收納沉積有吸收層的柔性襯底,具有一可密閉的收料腔室;
以及一控制系統(tǒng),包括設(shè)置于與所述供應(yīng)室、反應(yīng)室和收料室相連的氣體管路上并可控制氣體進(jìn)出的多個(gè)閥門以及可檢測所述供應(yīng)室、反應(yīng)室和收料室內(nèi)氣體狀態(tài)的檢測組件;
所述供應(yīng)腔室的出口端連接于所述反應(yīng)通道的入口端,所述收料腔室的入口端連接于所述反應(yīng)通道的出口端,所述供應(yīng)腔室、所述反應(yīng)通道和所述收料腔室依次連通構(gòu)造成一個(gè)密閉空間;
所述反應(yīng)區(qū)密閉連接有一可動態(tài)調(diào)節(jié)所述反應(yīng)區(qū)內(nèi)氣體狀態(tài)的氣體平衡器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述氣體平衡器與所述反應(yīng)區(qū)通過一氣閥連接,保持動態(tài)平衡,若反應(yīng)區(qū)內(nèi)的氣體壓力高于氣體平衡器中的壓力時(shí),氣閥打開,氣體從反應(yīng)區(qū)流入氣體平衡器,反之,氣體從氣體平衡器流入反應(yīng)區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述氣體平衡器與所述反應(yīng)區(qū)的容積比在0.1:1.0至1.0:0.1之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述氣體平衡器與反應(yīng)室具有相同的溫度和壓力。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)通道從底部到頂部的高度在3mm至12mm之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述供應(yīng)室和所述收料室分別與可將所述密閉空間空抽真空的真空泵連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)通道的入口端和出口端分別設(shè)有可用于調(diào)節(jié)或支撐所述柔性襯底并可將所述反應(yīng)通道密封且成對設(shè)置的入口傳動輥和出口傳動輥,所述入口傳動輥和所述出口傳動輥分別連接有可帶動其移動和轉(zhuǎn)動的入口驅(qū)動元件和出口驅(qū)動元件,該入口驅(qū)動元件和出口驅(qū)動元件均與所述控制系統(tǒng)連接并受其控制。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)通道內(nèi)還設(shè)有多對可夾緊所述柔性襯底并使其移動的輔助輥輪,所述輔助輥輪對稱分布于所述氣體平衡器于所述反應(yīng)通道連接處的兩側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)室的預(yù)熱區(qū)和反應(yīng)區(qū)以及所述氣體平衡器的外圍均分別設(shè)有加熱組件和保溫隔熱材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)通道設(shè)置成先上行后下行的結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)通道的拐角處角度設(shè)置在15°-45°之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述反應(yīng)通道內(nèi)設(shè)置有用于調(diào)節(jié)所述柔性襯底膨脹間隙的張緊調(diào)節(jié)裝置,該調(diào)節(jié)裝置包括多個(gè)調(diào)節(jié)輥輪,各調(diào)節(jié)滾輪設(shè)置于所述反應(yīng)通道內(nèi)拐彎處,且與所述柔性襯底頂觸,各調(diào)節(jié)滾輪均連接有可驅(qū)動其徑向移動且由所述控制系統(tǒng)控制的調(diào)節(jié)動力元件。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置,其特征在于:所述檢測組件包括可檢測所述反應(yīng)通道內(nèi)氣體溫度的溫度傳感器,可檢測所述反應(yīng)通道內(nèi)氣體濃度的濃度檢測器和檢測氣體壓力的壓力傳感器。
14.采用權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的制造CIGS薄膜太陽能電池吸收層的反應(yīng)裝置制造CIGS薄膜太陽能電池的吸收層的方法,其特征在于,包括以下幾個(gè)步驟:
1)上料:將纏繞為卷狀且沉積有預(yù)置層的柔性襯底安置于所述供應(yīng)室內(nèi),其中,該預(yù)置層至少包含一種IB族元素、一種IIIA族元素和一種VIA族元素,為以下材料之一:Cu/In/Ga/Se或Cu/In/Cu/Ga/Se或Cu-In/Ga/Se或Cu-Ga/In/Se或Cu/In-Ga/Se或Cu/Ga/Cu/In/Se或Cu/Ga/In/Se或Cu-Ga/Cu-In/Se或Cu-Ga/Cu-In/Ga/Se或Cu/Cu-In/Ga/Se、或Cu-Ga/In/In-Ga/Se;
2)定位:將沉積有預(yù)置層的柔性襯底的一端由所述供應(yīng)室內(nèi)的出口端展開依次進(jìn)入反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)通道和所述收料室,并于所述收料室內(nèi)形成卷繞;
3)抽真空:對所述供應(yīng)室的供應(yīng)腔室、所述反應(yīng)通道和收料腔室依次連通構(gòu)造成的密閉空間抽真空,其真空度在10-7Torr至10-2Torr之間;
4)進(jìn)氣:向上述抽過真空的密閉空間內(nèi)通入惰性氣體;
5)升溫:對通入反應(yīng)通道內(nèi)的反應(yīng)氣體升溫,并保持預(yù)置層的柔性襯底的溫度在350℃至650℃之間;
6)蒸發(fā)反應(yīng):將沉積有預(yù)置層的柔性襯底依次通過反應(yīng)通道上的預(yù)熱區(qū)、反應(yīng)區(qū)和冷卻區(qū),沉積有預(yù)置層的柔性襯底通過預(yù)熱區(qū)和反應(yīng)區(qū)時(shí),VIA族元素,與預(yù)置層中包含的IB族元素和IIIA族元素反應(yīng)形成CIGS半導(dǎo)體。或通入H2S氣體或者H2Se和H2S的混合氣體與預(yù)置層中包含的IB族元素和IIIA族元素反應(yīng),以提高CIGS吸收層的質(zhì)量;
7)平衡氣體:控制系統(tǒng)檢測所述反應(yīng)區(qū)內(nèi)的反應(yīng)氣體濃度,并與預(yù)先設(shè)定的反應(yīng)氣體濃度比對,若比對數(shù)值偏低,則氣體平衡器中的反應(yīng)氣體滲入到所述反應(yīng)區(qū)內(nèi),反之,所述反應(yīng)區(qū)內(nèi)的反應(yīng)氣體滲透到所述氣體平衡器中;
8)冷卻:沉積有吸收層的柔性襯底通過冷卻區(qū)時(shí),將沉積有吸收層的柔性襯底自然冷卻;
9)收料:沉積有吸收層的柔性襯底經(jīng)過冷卻后,在所述收料室內(nèi)纏繞成卷。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





