[發明專利]一種柱狀電阻器無效
| 申請號: | 201210478077.0 | 申請日: | 2012-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN103839636A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發明(設計)人: | 馬生平 | 申請(專利權)人: | 馬生平 |
| 主分類號: | H01C7/00 | 分類號: | H01C7/00;H01C13/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225755 江蘇省泰*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柱狀 電阻器 | ||
技術領域
本發明涉及一種柱狀電阻器。
背景技術
柱狀電阻器組合而成的柱狀電阻器,通常是非金屬電阻器,非金屬電阻器以其阻值范圍大、體積小、安裝方便等諸多優越性,被廣泛應用于各個領域。而柱狀電阻器通常由非金屬材料(如陶瓷)燒制而成,為柱狀,各個柱狀的電阻器疊放在一起,經串聯或并聯,形成不同阻值的電阻器。
各個相鄰的柱狀電阻器之間,主要靠其接觸面之間自有的摩擦力,來確保相互之間不發生相對位移,而僅依靠摩擦力,其可靠性是比較低得,尤其是經過長時間的使用,或者是使用過程中需要移動時,各個柱狀電阻器之間可能會相對滑動,發生相對錯位,導致電阻器的阻值不穩定,影響了電阻器的正常工作。
因此,需要一種新的柱狀電阻器以解決上述問題。
發明內容
發明目的:本發明的目的是針對現有技術的柱狀電阻器的缺陷,提供一種連接穩定的柱狀電阻器。
技術方案:為實現上述發明目的,本發明柱狀電阻器可采用如下技術方案:
一種柱狀電阻器,包括至少一個圓柱電阻,所述圓柱電阻包括第一底面和第二底面,所述第一底面上設置有凹槽,所述第二底面上與所述凹槽相對應的位置設置有凸起,所述凸起與所述凹槽相配合。
更進一步的,所述凹槽的橫截面為半圓形、三角形或梯形,所述凸起的橫截面與所述凹槽的橫截面形狀相同。
更進一步的,所述第一底面和第二底面上均設置有耐高溫絕緣涂層。圓柱電阻器的上下表面均涂有耐高溫絕緣涂層,可以確保在電阻器片的溫度過高時,不會出現氧化現象,不會彼此之間發生干擾,進一步提高了電阻器阻值的穩定性;
更進一步的,所述圓柱電阻為中空結構,所述圓柱電阻的側壁的厚度為0.2mm-1mm。通過采用中空的圓柱腔電阻代替埋入式電阻絲,結構強度高,散熱面積大,功率密度高。
更進一步的,所述凹槽的長度為所述圓柱電阻直徑的1/3-1/2。
有益效果:本發明的柱狀電阻器很好的解決了柱狀電阻器的各個圓柱電阻在使用過程中容易由于摩擦力的實效而發生相對位移,導致電阻器的阻值不穩定的問題;結構簡單,原理簡單,其凹槽和對應凸起的結構,只要在陶瓷燒制時模具稍作改動即可,成本基本沒有增加,具有推廣實施的必要性和現實可能性。
附圖說明
圖1為本發明的柱狀電阻器的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例,進一步闡明本發明,應理解這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍,在閱讀了本發明之后,本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。
請參閱圖1、圖2和圖3所示,本發明的柱狀電阻器,包括至少一個圓柱電阻1,圓柱電阻1包括第一底面11和第二底面12,第一底面11上設置有凹槽111,第二底面12上與凹槽111相對應的位置設置有凸起121,凸起121與凹槽111相配合。其中,凹槽111的橫截面為半圓形、三角形或梯形,凸起121的橫截面與凹槽111的橫截面形狀相同。第一底面11和第二底面12上均設置有耐高溫絕緣涂層。圓柱電阻1的第一底面11和第二底面12均涂有耐高溫絕緣涂層,可以確保在電阻器片的溫度過高時,不會出現氧化現象,不會彼此之間發生干擾,進一步提高了電阻器阻值的穩定性;圓柱電阻1為中空結構,圓柱電阻1的側壁的厚度為0.2mm-1mm。通過采用中空的圓柱腔電阻代替埋入式電阻絲,結構強度高,散熱面積大,功率密度高。凹槽111的長度為圓柱電阻1直徑的1/3-1/2。
本發明的柱狀電阻器很好的解決了柱狀電阻器的各個圓柱電阻1在使用過程中容易由于摩擦力的實效而發生相對位移,導致電阻器的阻值不穩定的問題;結構簡單,原理簡單,其凹槽和對應凸起的結構,只要在陶瓷燒制時模具稍作改動即可,成本基本沒有增加,具有推廣實施的必要性和現實可能性。
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