[發明專利]制造氧化物薄膜晶體管的方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201210477808.X
• 申請日: 2012-11-22
• 公開（公告）號: CN103137492A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 崔桂澈;金峰澈;河燦起;樸相武
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;謝雪閩

1.一種制造氧化物薄膜晶體管的方法，所述方法包括下述步驟：

在基板上形成由氧化物半導體制成的有源層；

對所述有源層進行等離子體表面處理，以使氧滲透進所述有源層中。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述進行等離子體表面處理的步驟包括進一步使氟滲透進所述有源層中。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成有源層的步驟包括在基板上形成氧化物半導體層、在所述氧化物半導體層上形成光刻膠圖案、以及通過使用所述光刻膠圖案來蝕刻所述氧化物半導體層，

其中，在所述形成氧化物半導體層的步驟與所述形成光刻膠圖案的步驟之間執行所述進行等離子體表面處理的步驟。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成有源層的步驟包括在基板上形成氧化物半導體層、在所述氧化物半導體層上形成光刻膠圖案、以及通過使用所述光刻膠圖案來蝕刻所述氧化物半導體層，

其中，在所述蝕刻氧化物半導體層的步驟之后執行所述進行等離子體表面處理的步驟。

5.根據權利要求4所述的方法，在所述蝕刻氧化物半導體層的步驟之后進一步包括干法剝離所述光刻膠圖案的步驟，

其中與所述干法剝離光刻膠圖案的步驟同時地執行所述進行等離子體表面處理的步驟。

6.根據權利要求5所述的方法，在所述進行等離子體表面處理的步驟之后進一步包括濕法剝離所述光刻膠圖案的步驟。

7.根據權利要求4所述的方法，在所述蝕刻氧化物半導體層的步驟之后進一步包括濕法剝離所述光刻膠圖案的步驟，

其中，在所述濕法剝離光刻膠圖案的步驟之后執行所述進行等離子體表面處理的步驟。

8.根據權利要求1所述的方法，其中使用等離子體增強化學氣相沉積、等離子體蝕刻和增強電容耦合型等離子體中的任意一個，來執行所述進行等離子體表面處理的步驟。

9.根據權利要求1所述的方法，進一步包括下述步驟：

在所述基板上形成柵極電極；

在所述柵極電極上形成柵極絕緣膜；

在所述有源層上形成源極電極和漏極電極，所述漏極電極與所述源極電極隔開；

在所述源極電極和漏極電極上形成鈍化膜，所述鈍化膜具有部分暴露所述漏極電極的接觸孔；和

形成通過所述接觸孔而與所述漏極電極電連接的像素電極。

10.一種制造顯示裝置的方法，所述顯示裝置包括氧化物薄膜晶體管，所述方法包括下述步驟：

在基板上形成由氧化物半導體制成的有源層；

對所述有源層進行等離子體表面處理，以使氧滲透進所述有源層中。