[發(fā)明專利]一種光波導(dǎo)及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210477659.7
• 申請(qǐng)日: 2012-11-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102944911A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅毅;王健;孫長(zhǎng)征;熊兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B6/122
• 分類號(hào): G02B6/122;G02B6/13
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種光波導(dǎo)，包括芯層、下包層和上包層，芯層位于上包層和下包層之間，其特征在于：下包層形狀為條形，采用氧化硅材料，芯層位于下包層的正上方。?

2.如權(quán)利要求1所述光波導(dǎo)，其特征在于，所述下包層采用的氧化硅材料為硅材料表面氧化得到的氧化硅。?

3.如權(quán)利要求1或2所述光波導(dǎo)，其特征在于，所述芯層為氮化硅、氮化鋁或氮化鎵。?

4.如權(quán)利要求1或2所述光波導(dǎo)，其特征在于，所述芯層采用氧化鋁、氧化鎵、氧化銦、氧化鉿、氧化鎂、氧化鉭、氧化鋅或氧化鈦。?

5.如權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述光波導(dǎo)，其特征在于，所述上包層采用氧化硅材料，或氧化硅材料與氧化鋁、氧化鎵、氧化銦、氧化鉿、氧化鎂、氧化鉭、氧化鋅、氧化鈦中的任一種材料形成的混合氧化物。?

6.一種光波導(dǎo)的制作方法，其特征在于，該方法包括：?

S1、在硅襯底上依序沉積氧化硅材料和芯層材料；?

S2、在芯層材料上進(jìn)行光刻，形成條形化的光刻膠掩模；?

S3、對(duì)光刻膠掩模進(jìn)行刻蝕，得到條形化的芯層，去除光刻膠掩模。?

S4、以條形化的芯層為掩膜進(jìn)行刻蝕，得到條形化的下包層；?

S5、制備上包層。?

7.一種光波導(dǎo)的制作方法，其特征在于，該方法包括：?

S1、在硅襯底上沉積一層芯層材料；?

S2、在芯層材料上進(jìn)行光刻，形成條形化的光刻膠掩模；?

S3、對(duì)光刻膠掩模進(jìn)行刻蝕得到條形化的芯層，去除光刻膠掩模；?

S4、以條形化的芯層為掩膜進(jìn)行刻蝕，得到條形化的硅材料；?

S5、將條形化的硅材料表面氧化，得到下包層；?

S6、制備上包層。?

8.一種光波導(dǎo)的制作方法，其特征在于，該方法包括：?

S1、在硅襯底上進(jìn)行光刻，形成條形化的光刻膠掩模；?

S2、對(duì)光刻膠掩模進(jìn)行刻蝕，得到條形化的硅襯底，去除光刻膠掩模；?

S3、將條形化的硅材料表面氧化，得到氧化硅下包層；?

S4、在條形化的氧化硅表面沉積芯層材料，通過(guò)控制工藝參數(shù)，使得芯層材料只沉積在下包層的正上方表面，而不沉積在下包層的側(cè)面，得到芯層；?

S5、制備上包層。?

9.如權(quán)利要求6～8所述任一方法，其特征在于，所述芯層材料和/或上包層材料采用化學(xué)氣相沉積法、物理氣相沉積法或溶液法制備而成。

10.如權(quán)利要求9所述方法，其特征在于，所述的化學(xué)氣相沉積法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或低氣壓化學(xué)氣相沉積。?

11.如權(quán)利要求9所述方法，其特征在于，所述物理氣相沉積法為磁控濺射、電子束蒸發(fā)或熱蒸發(fā)。?

12.如權(quán)利要求9所述方法，其特征在于，所述溶液法為溶液結(jié)晶法或溶膠凝膠法。?