[發明專利]間距與形貌可調控的金屬納米顆粒有序陣列的制備方法

無效

• 申請號: 201210477364.X
• 申請日: 2012-11-22
• 公開（公告）號: CN102923647A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 肖湘衡;鄭俊豐;戴志高;應見見;任峰;蔣昌忠
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00;B82Y30/00
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 張火春

1.一種間距與形貌可調控的金屬納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是，包括步驟：

步驟一，采用液面自組裝法在自組裝基底上制備緊密排布的納米球層模板；

步驟二，通過刻蝕法調控納米球層模板中納米球的大小、間距和形貌；?

步驟三，采用真空鍍膜法在刻蝕后的納米球層模板上沉積金屬納米陣列；

步驟四，去掉納米球模板，即得到金屬納米顆粒有序陣列。

2.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：?

步驟一中所述的納米球為聚苯乙烯納米球，其直徑為460~800nm。

3.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：

步驟一中所述的自組裝基底為硅片。

4.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：?

步驟一具體為：

首先采用去離子水、等離子清洗處理自組裝基底，然后采用液面自組裝法在自組裝基底上制備緊密排布的納米球層模板；所述的等離子清洗采用等離子清洗機進行，清洗工藝為：清洗時間30?min，等離子清洗機清洗功率30?W，氣體氛圍為氧氣，氣體壓強10Pa。

5.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：

步驟二中是通過控制刻蝕時間來調控納米球層模板中納米球的大小、間距和形貌。

6.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：

步驟二中所述的刻蝕法為等離子刻蝕法。

7.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：

步驟三中所述的金屬納米陣列為鎘金納米陣列，具體制備方法為：

利用真空鍍膜機在2×10^-3?Pa的真空度下，在刻蝕后的納米球層模板表面上依次蒸鍍鎘薄膜、金薄膜，得到鎘金納米陣列。

8.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：

步驟三中所采用的真空鍍膜法為熱蒸發鍍膜法。

9.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：

步驟四中采用化學刻蝕法腐蝕納米球層模板。

10.如權利要求1所述的間距與形貌可調控的納米顆粒有序陣列的制備方法，其特征是：

步驟四所獲得的金屬納米顆粒有序陣列的形貌為三角形或網狀結構。