[發明專利]氣化原料供給裝置、基板處理裝置及氣化原料供給方法無效
| 申請號: | 201210477310.3 | 申請日: | 2012-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN103137525A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 西島和宏 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣化 原料 供給 裝置 處理 方法 | ||
技術領域
本發明涉及用于供給使液體原料氣化而得到的氣體原料的氣化原料供給裝置、基板處理裝置及氣化原料供給方法。
背景技術
在用于制造半導體器件的半導體制造裝置中,存在使例如溶劑、疏水化處理劑等在常溫下為液體的原料氣化(或者蒸發)而用作氣體原料的裝置。為了使液體原料氣化,例如公知有利用載氣使液體鼓泡而在載氣中混入液體的蒸氣的起泡罐(例如專利文獻1和專利文獻2)。起泡罐具有用于貯存液體的罐、用于向貯存在罐內的液體中導入載氣的載氣導入管、用于將從載氣導入管導入到罐內且混入有液體原料的蒸氣的載氣供給到半導體制造裝置的處理室中的供給配管(例如專利文獻1和專利文獻2)。
專利文獻1:日本特開2009-22905號公報
專利文獻2:日本特開2011-44671號公報
在起泡罐中,載氣在貯存于罐內的液體中流動時,在載氣中混入有液體的蒸氣。例如在載氣的流量較大、載氣以較大的流速在罐內流動的情況下,有可能在載氣中蒸氣不飽和。在這種情況下,無法供給期望的量的原料,難以控制處理氣體的濃度。
發明內容
本發明即是鑒于上述情況而做成的,提供一種能夠提高載氣中的液體原料的蒸氣的飽和度的氣化原料供給裝置。
采用本發明的第1技術方案,提供一種氣化原料供給裝置,該氣化原料供給裝置包括:貯存罐,其用于貯存液體原料;第1溫度控制部,其用于將上述貯存罐控制在第1溫度;載氣導入管,其用于向上述貯存罐內導入載氣;處理氣體導出管,其連接于上述貯存罐,用于使處理氣體從上述貯存罐流出,該處理氣體是通過在從上述載氣導入管導入到上述貯存罐內的上述載氣中含有上述液體原料的蒸氣而生成的;容器,其包括用于連接上述處理氣體導出管的流入口、供從上述流入口流入的上述處理氣體流出的流出口;障礙構件,其設置在上述容器內且位于上述流入口與上述流出口之間,用于阻礙上述處理氣體的流動;第2溫度控制部,其用于將上述容器控制在比上述第1溫度低的第2溫度。
采用本發明的第2技術方案,提供一種基板處理裝置,該基板處理裝置包括:導氣管,其用于從第1技術方案的氣化原料供給裝置中的上述容器的上述流出口引導上述處理氣體;腔室,其與上述導氣管相連,上述處理氣體經由上述導氣管被導入上述腔室;載置部,其配置在上述腔室內,用于載置作為利用上述處理氣體進行的處理的對象的基板。
采用本發明的第3技術方案,提供一種氣化原料供給方法,該氣化原料供給方法包括這些步驟:維持步驟,將用于貯存液體原料的貯存罐維持在第1溫度;生成步驟,向維持為上述第1溫度的上述貯存罐內供給載氣,生成含有上述液體原料的蒸氣和上述載氣的處理氣體;冷卻步驟,將上述處理氣體冷卻到比上述第1溫度低的第2溫度。
采用本發明的實施方式,提供一種能夠提高載氣中的液體原料的蒸氣的飽和度的氣化原料供給裝置。
附圖說明
圖1是表示本發明的實施方式的氣化原料供給裝置中的起泡器的示意圖。
圖2是表示本發明的實施方式的氣化原料供給裝置中的氣體飽和器的示意圖。
圖3是表示本發明的實施方式的氣化原料供給裝置的示意圖。
圖4是表示本發明的實施方式的基板處理裝置的一例子的示意圖。
具體實施方式
下面,參照附圖說明本發明的并非用于限定本發明的例示實施方式。在全部附圖中,對相同或者對應的構件或者零件標注相同或者對應的參照附圖標記,省略重復的說明。另外,附圖的目的并非用于表示構件或者零件之間的相對比,因而,構件或者零件的具體的尺寸應對照以下并非用于限定本發明的實施方式,由本領域技術人員決定。
首先,參照圖1說明本發明的實施方式的氣化原料供給裝置所包括的起泡器。
如圖1所示,起泡器10包括用于貯存例如溶劑、疏水化處理劑等在常溫下為液體的原料L的貯存罐11(以下,稱作“罐”)、配置在罐11的周圍且用于加熱罐11和罐11的內部的液體原料L的外部加熱器13、以包圍罐11和外部加熱器13的方式配置的絕熱構件15。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





