[發(fā)明專利]一種原子層沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210477229.5
• 申請日: 2012-11-21
• 公開（公告）號: CN103103497A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 董亞斌;夏洋;李超波;張陽
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種原子層沉積設(shè)備，其特征在于：包括腔室和直流電源，所述腔室內(nèi)設(shè)有加熱盤及設(shè)置在所述加熱盤上的勻熱盤，所述勻熱盤上設(shè)有絕緣導(dǎo)熱層，所述絕緣導(dǎo)熱層上設(shè)有導(dǎo)電盤，所述導(dǎo)電盤通過電線與所述直流電源的正極連接。

2.如權(quán)利要求1所述的原子層沉積設(shè)備，其特征在于：所述導(dǎo)電盤與所述腔室中被加熱的晶圓的尺寸相同。

3.如權(quán)利要求1所述的原子層沉積設(shè)備，其特征在于：所述直流電源施加的電壓為0-110V。

4.如權(quán)利要求1所述的原子層沉積設(shè)備，其特征在于：所述絕緣導(dǎo)熱層的材質(zhì)為氮化鋁陶瓷。

5.如權(quán)利要求1所述的原子層沉積設(shè)備，其特征在于：所述導(dǎo)電盤的材質(zhì)是氧化鋁。