[發明專利]一種進氣結構及等離子體工藝設備

無效

• 申請號: 201210477227.6
• 申請日: 2012-11-21
• 公開（公告）號: CN103068137A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 席峰;胡冬冬;李楠;汪明剛;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H05H1/24
• 分類號: H05H1/24
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

技術領域

本發明涉及等離子體工藝設備技術領域，具體涉及一種進氣結構及等離子體工藝設備。

背景技術

在等離子體工藝設備中，所用的進氣結構具有多種形式，設計合理進氣結構形式，對于等離子工藝的均勻性和穩定性有著重要的作用。不銹鋼金屬管進氣結構是等離子刻蝕、沉積等工藝中常見的進氣結構，容易產生電氣短路，造成等離子體熄滅或局部結構打火等現象發生，并且這種結構物理特性的場對稱性比較差，容易產生循環波動的物理場，例如流場、熱場或電磁場等等，從而影響等離子體工藝的均勻性與可靠性。

發明內容

本發明的目的在于提供一種進氣結構，提高等離子體工藝的均勻性和穩定性。

本發明的另一目的在于提供一種等離子體工藝設備。

為了達到上述目的，本發明采用的技術方案如下：

一種進氣結構，包括不銹鋼進氣管及設置在所述不銹鋼進氣管下方的圓柱形的勻氣筒，所述勻氣筒包括筒身及設置在所述筒身上端的臺階結構，所述勻氣筒下端為封閉的，所述勻氣筒的筒身上均勻分布若干勻氣孔。

上述方案中，所述勻氣筒的內徑為5～980mm，所述勻氣筒的筒身的外徑為8～1000mm，所述臺階結構的外徑為10～1200mm，所述臺階結構的外徑大于所述勻氣筒的筒身的外徑；所述勻氣筒的高度為10～1000mm，其中，所述臺階結構的高度為5～500mm。

上述方案中，所述勻氣筒由絕緣材料制成，所述絕緣材料為聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英。

上述方案中，所述勻氣筒的耐溫范圍為-300～3000℃。

上述方案中，所述勻氣筒的筒身上均勻分布2～1000000個勻氣孔。

上述方案中，所述勻氣筒的筒身上均勻分布1～10000行勻氣孔。

上述方案中，所述勻氣孔的直徑為0.05～100mm。

一種等離子體工藝設備，包括腔室和進氣結構，所述進氣結構設置在所述腔室的上端；所述進氣結構包括不銹鋼進氣管及與設置在所述不銹鋼進氣管下方的圓柱形的勻氣筒，所述勻氣筒包括筒身及設置在所述筒身上端的臺階結構，所述勻氣筒下端為封閉的，所述勻氣筒的筒身上均勻分布若干勻氣孔；所述腔室的上蓋設有臺階孔，所述臺階孔與所述勻氣筒上端的臺階結構相配合。

上述方案中，所述不銹鋼進氣管與所述腔室的上蓋法蘭聯接，所述法蘭聯接采用橡膠圈密封或刀口法蘭聯接。

上述方案中，所述勻氣筒由絕緣材料制成，所述絕緣材料為聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本發明提供的進氣結構應用于等離子體工藝設備，可以減小或避免由于結構不對稱，引起的等離子體啟輝不均勻或局部打火現象的出現；由于本發明的進氣結構避開了等離子體啟輝的范圍，不會對電磁場的分布造成影響，可以提高等離子體的均勻性和穩定性；并且，在等離子體啟輝條件下，本發明的進氣結構沒有放氣現象，可以保持真空腔室對真空度的要求。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的進氣結構的結構示意圖；

圖2為本發明實施例提供的等離子體工藝設備的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

如圖1所示，本實施例提供一種進氣結構，包括不銹鋼進氣管1及設置在不銹鋼進氣管1下方的圓柱形的勻氣筒2，勻氣筒2包括筒身21及設置在筒身21上端的臺階結構22，勻氣筒2下端為封閉的，勻氣筒2的筒身21上均勻分布1～10000行、2～1000000個勻氣孔23，勻氣孔23的直徑為0.05～100mm。勻氣筒2由絕緣材料制成，絕緣材料為聚四氟、陶瓷、聚碳酸酯或石英。勻氣筒2的材料的耐溫范圍為-300～3000℃。

勻氣筒2的內徑為5～980mm，勻氣筒2的筒身21的外徑為8～1000mm，臺階結構22的外徑為10～1200mm，臺階結構22的外徑大于勻氣筒2的筒身21的外徑；勻氣筒2的高度為10～1000mm，其中，臺階結構22的高度為5～500mm。

具體地，本實施例中，勻氣筒的筒身上均勻分布2行共24個勻氣孔，勻氣孔的直徑為2mm。