[發(fā)明專利]一種溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210477221.9
• 申請日: 2012-11-22
• 公開（公告）號: CN103018766A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 羅鵬;代傳波;程翀;藺常勇;劉單;吳榮俊;郭曉彬;郭智榮;左亮周;許滸
• 申請（專利權）人: 中國船舶重工集團公司第七一九研究所
• 主分類號: G01T1/40
• 分類號: G01T1/40
• 代理公司: 武漢天力專利事務所 42208
• 代理人: 吳曉穎;馮衛(wèi)平

1.一種溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法，其特征在于該方法包括以下步驟：

（1）使用靜電沉積法將無載液態(tài)镅241源電鍍在一個不銹鋼基底上制作成電鍍源片；

（2）使用PCB板制作成出射α粒子準直器，準直器孔徑為φ0.4~0.8mm，準直孔個數(shù)≥80個；準直器表面鍍金作為光子反射層；

（3）使用聚四氟乙烯加工成具有凹槽的安裝基座，將電鍍源片和準直器依次放入安裝基座凹槽中，邊緣使用緊固膠進行緊固，即可獲得制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源；

（4）將制作好的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源緊貼經(jīng)打磨處理過的溴化鑭晶體，使用特氟龍反光帶將內(nèi)嵌穩(wěn)峰源和晶體進行緊密包裹，再使用加工好的聚四氟環(huán)形壓塊將特氟龍反光帶與內(nèi)嵌穩(wěn)峰源壓緊；

（5）將經(jīng)步驟（4）處理后的溴化鑭晶體放入金屬密封筒中，將粘貼好導光玻璃的密封蓋與金屬密封筒旋緊，并涂上密封膠進行密封，固化24小時后即可使用。

2.根據(jù)權利要求1所述的溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法，其特征在于：步驟（1）中所述電鍍在不銹鋼基底上的镅源活性區(qū)厚度為1μm，镅源活度為2kBq，表面發(fā)射率為800cps。

3.根據(jù)權利要求1所述的溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法，其特征在于：步驟（2）中所述準直器孔徑為φ0.6mm，準直孔個數(shù)為100個。

4.根據(jù)權利要求1所述的溴化鑭晶體內(nèi)嵌穩(wěn)峰源的方法，其特征在于：步驟（4）中所述聚四氟環(huán)形壓塊為環(huán)形結構，可用于緊套在包裹了特氟龍反光帶的內(nèi)嵌穩(wěn)峰源外圍。