[發明專利]用于測量等離子體中電特性組的裝置

有效

• 申請號: 201210476899.5
• 申請日: 2006-06-13
• 公開（公告）號: CN103021781A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 克里斯托弗·金博爾;埃里克·赫德森;道格拉斯·凱爾;阿列克謝·馬拉赫塔諾夫
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H05H1/00
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種等離子體處理室，所述等離子處理室包括：

配置為暴露于等離子體的等離子體室表面組，所述等離子體具有電特性組；

收集盤結構，其配置為暴露于所述等離子體，其中所述收集盤結構與所述等離子體室表面組中的至少一個是共面的；

連接到所述收集盤結構的傳導路徑，其配置為將所述電特性組從所述收集盤結構傳輸到轉換器組；以及

與所述傳導路徑接觸的熱接地元件，用于向至少所述傳導路徑提供熱接地。

2.根據權利要求1所述的等離子體處理室，其中，所述電特性包括電壓、相位、和電流中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的等離子體處理室，其中，所述收集盤結構由金屬化的硅組成。

4.根據權利要求1所述的等離子體處理室，其中，所述收集盤結構連接到所述傳導路徑的表面，所述表面被用金屬濺射。

5.根據權利要求1所述的等離子體處理室，其中，所述收集盤結構通過至少一個片簧連接到所述傳導路徑的表面。

6.根據權利要求1所述的等離子體處理室，還包括絕緣阻擋部，其配置為大體上將所述收集盤結構和所述傳導路徑與所述等離子體室表面組電分離。

7.根據權利要求6所述的等離子體處理室，還包括設置于所述傳導路徑和所述絕緣阻擋部之間導熱的粘結層。

8.根據權利要求6所述的等離子體處理室，進一步配置有在所述傳導路徑和所述絕緣阻擋部之間的間隙。

9.根據權利要求8所述的等離子體處理室，其中，所述間隙足夠小，從而不在所述間隙內形成所述等離子體。

10.根據權利要求6所述的等離子體處理室，進一步配置有在所述絕緣阻擋部和所述等離子體室表面組中的至少一個之間的間隙。

11.根據權利要求10所述的等離子體處理室，其中，所述間隙足夠小，從而不在所述間隙內形成所述等離子體。

12.一種等離子體處理室，所述等離子處理室包括：

配置為暴露于等離子體的等離子體室表面組，所述等離子體具有電特性組；

收集盤結構，其配置為暴露于所述等離子體，其中所述收集盤結構相對于等離子體室表面是凹入的，該收集盤結構設置在該等離子體室表面之內；

連接到所述收集盤結構的傳導路徑，其配置為將所述電特性組從所述收集盤結構傳輸到轉換器組；以及

與所述傳導路徑接觸的熱接地元件，用于向至少所述傳導路徑提供熱接地。

13.根據權利要求12所述的等離子體處理室，其中，所述電特性包括電壓、相位、和電流中的至少一種。

14.根據權利要求12所述的等離子體處理室，其中，所述收集盤結構由金屬化的硅組成。

15.根據權利要求12所述的等離子體處理室，其中，所述收集盤結構連接到所述傳導路徑的表面，所述表面被用金屬濺射。

16.根據權利要求12所述的等離子體處理室，其中，所述收集盤結構通過至少一個片簧連接到所述傳導路徑的表面。

17.根據權利要求12所述的等離子體處理室，還包括絕緣阻擋部，其配置為大體上將所述收集盤結構和所述傳導路徑與所述等離子體室表面組電分離。

18.根據權利要求17所述的等離子體處理室，還包括設置于所述傳導路徑和所述絕緣阻擋部之間導熱的粘結層。

19.根據權利要求17所述的等離子體處理室，進一步配置有在所述傳導路徑和所述絕緣阻擋部之間的間隙。

20.根據權利要求19所述的等離子體處理室，其中，所述間隙足夠小，從而不在所述間隙內形成所述等離子體。

21.根據權利要求17所述的等離子體處理室，進一步配置有在所述絕緣阻擋部和所述等離子體室表面組中的至少一個之間的間隙。

22.根據權利要求21所述的等離子體處理室，其中，所述間隙足夠小，從而不在所述間隙內形成所述等離子體。