[發明專利]太陽能電池的制造方法及其結構

無效

• 申請號: 201210476755.X
• 申請日: 2012-11-21
• 公開（公告）號: CN102956756A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 郁操;牛新偉;陳晨
• 申請（專利權）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/20
• 分類號: H01L31/20;H01L31/075;H01L31/0288;H01L31/076
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 馮譜

1.一種非晶硅單結薄膜電池的制造方法，其中所述方法包括以下步驟：

提供一襯底（100），在所述襯底（100）上形成前電極（200）；

在所述前電極（200）上形成非晶硅PiN結（300），所述非晶硅PiN結（300）包括：非晶P型摻雜層（310）、非晶硅本征吸收層（320）和非晶N型摻雜層（330）；

在所述非晶硅PiN結（300）上形成背電極（400）；

其特征在于，所述非晶P型摻雜層（310）為SiOxCy。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，還包括步驟：

在所述非晶P型摻雜層（310）和非晶硅本征吸收層（320）之間形成緩沖層（340）。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，所述緩沖層（340）為SiOx。

4.根據權利要求1~3任一項所述的方法，其中，采用化學氣相沉積的方式形成所述非晶P型摻雜層（310）。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述前電極（200）和/或背電極（400）使用氧化錫、氧化銦，或氧化鋅摻雜其他元素制備。

6.一種非晶硅單結薄膜電池，其中所述電池包括：

襯底（100）；

前電極（200），形成于所述襯底（100）之上；

非晶硅PiN結（300），形成于所述前電極（200）之上，所述非晶硅PiN結（300）包括：非晶P型摻雜層（310）、非晶硅本征吸收層（320）和非晶N型摻雜層（330）；

背電極（400），形成于所述非晶硅PiN結（300）；

其特征在于，所述非晶P型摻雜層（310）為SiOxCy。

7.根據權利要求6所述的電池，其中，還包括：

緩沖層（340），形成于所述非晶P型摻雜層（310）和非晶硅本征吸收層（320）之間。

8.根據權利要求7所述的電池，其中，所述緩沖層（340）為SiOx。

9.根據權利要求6~8任一項所述的電池，其中，所述前電極（200）和/或背電極（400）使用氧化錫、氧化銦，或氧化鋅摻雜其他元素制備。

10.一種非晶硅/微晶硅疊層電池的制造方法，其中所述方法包括以下步驟：

提供一襯底（100），在所述襯底（100）上形成前電極（200）；

在所述前電極（200）上形成非晶硅PiN結（300），所述非晶硅PiN結（300）包括：非晶P型摻雜層（310）、非晶硅本征吸收層（320）和N型摻雜層（350）；

在所述非晶硅PiN結（300）上形成微晶硅PiN結（500），所述微晶硅PiN結（500）包括：微晶P型摻雜層（510）、微晶硅本征吸收層（520）和微晶N型摻雜層（530）；

在所述微晶硅PiN結（500）上形成背電極（400）；

其特征在于，所述非晶P型摻雜層（310）為SiOxCy。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，還包括步驟：

在所述非晶P型摻雜層（310）和非晶硅本征吸收層（320）之間形成緩沖層（340）。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，所述緩沖層（340）為SiOx。

13.根據權利要求10所述的方法，其中，所述N型摻雜層（350）為非晶和/或微晶材料。

14.根據權利要求10~13任一項所述的方法，其中，采用化學氣相沉積的方式形成所述非晶P型摻雜層（310）。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，所述前電極（200）和/或背電極（400）使用氧化錫、氧化銦，或氧化鋅摻雜其他元素制備。