[發明專利]鎂合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜及制備方法

有效

• 申請號: 201210476200.5
• 申請日: 2012-11-22
• 公開（公告）號: CN103173836A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 李文芳;萬小芳;于非;張果戈
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: C25D11/30
• 分類號: C25D11/30
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.鎂合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

（1）前處理

將鎂合金用SiC砂紙打磨，然后進行清洗并用熱風吹干，置于干燥器中待用；

（2）微弧氧化

以鎂合金為陽極，不銹鋼薄板為陰極，將前處理后的鎂合金浸泡在電解液中，采用交流恒流模式對鎂合金進行微弧氧化處理，完畢后將鎂合金取出用去離子水清洗，干燥后即得黑色陶瓷膜。

2.根據權利要求1所述的鎂合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制備方法，其特征在于以加入的去離子水的體積為計算基準，所述電解液是由10～30g/L?Na₂SiO₃、10～25g/L?六偏檸酸鈉、10～16g/L?KF、8～12g/L?NH₄VO₃、1～4g/L?EDTA、2～6g/L?檸檬酸鈉和去離子水組成的。

3.根據權利要求2所述的鎂合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制備方法，其特征是步驟（1）依次用150^#、400^#、600^#、800^#的SiC砂紙將鎂合金，表面打磨至劃痕方向一致。

4.根據權利要求3所述的鎂合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制備方法，其特征是：步驟（2）中所述陰極與陽極之間的距離為5cm。

5.根據權利要求4所述的鎂合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制備方法，其特征是：步驟（1）所述清洗為依次采用丙酮、無水乙醇、去離子水在的超聲波中清洗，清洗時間分別為5～10min，溫度為20℃。

6.根據權利要求4所述的鎂合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜的制備方法，其特征是：所述交流恒流模式中各電參數為：頻率400～800HZ、占空比20%～50%、電流密度4.25～10.62A/dm²、氧化時間6～10min、正負脈沖比3:1～9:1。

7.由權利要求1～6任一項所述制備方法制得的鎂合金微弧氧化低能耗黑色陶瓷膜。