[發明專利]晶體管及半導體裝置

有效

• 申請號: 201210475836.8
• 申請日: 2012-11-21
• 公開（公告）號: CN103137701B
• 公開（公告）日: 2018-01-19
• 發明（設計）人: 津吹將志
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/41
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種半導體裝置，包括：

襯底上的柵極；

所述柵極上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的包括第一部分及第二部分的氧化物半導體層，其中所述第一部分是端部，所述第一部分的側表面與所述柵極絕緣層相接觸，且所述第二部分是所述端部之外的部分；以及

所述氧化物半導體層上的第一導電層及第二導電層，

其中，所述第一導電層及所述第二導電層不與所述第一部分接觸但與所述第二部分接觸，

并且，所述氧化物半導體層中的與所述第一導電層接觸的區域和所述氧化物半導體層中的與所述第二導電層接觸的區域中的至少一方含有的降阻元素的濃度比所述氧化物半導體層的所述端部中含有的所述降阻元素的濃度低。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

所述第一導電層及所述第二導電層上的絕緣層；以及

通過所述絕緣層的開口部與所述第一導電層和所述第二導電層中的一方接觸的第三導電層。

3.一種半導體裝置，包括：

襯底上的柵極；

所述柵極上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的包括第一部分及第二部分的氧化物半導體層，其中所述第一部分是端部，所述第一部分的側表面與所述柵極絕緣層相接觸，且所述第二部分是所述端部之外的部分；以及

所述氧化物半導體層上的第一導電層及第二導電層，

其中，所述第一導電層及所述第二導電層不與所述第一部分接觸但與所述第二部分接觸，

所述氧化物半導體層中的與所述第一導電層接觸的區域和所述氧化物半導體層中的與所述第二導電層接觸的區域中的至少一方含有的降阻元素的濃度比所述氧化物半導體層的所述端部中含有的所述降阻元素的濃度低，

并且，所述第一導電層的至少一部分被所述第二導電層包圍。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，還包括：

所述第一導電層及所述第二導電層上的絕緣層；以及

通過所述絕緣層的開口部與所述第一導電層接觸的第三導電層。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，

其中所述第一導電層及所述第二導電層具有圓形形狀或多角形形狀，

所述第二導電層包括開口部，

并且所述第一導電層位于所述第二導電層的所述開口部中。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，

其中所述第一導電層具有圓形形狀或多角形形狀，

所述第二導電層具有C形狀，

并且所述第一導電層位于所述第二導電層中。

7.一種半導體裝置，包括：

襯底上的柵極；

所述柵極上的柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的包括第一部分及第二部分的氧化物半導體層，其中所述第一部分是端部，所述第二部分是所述端部之外的部分；以及

所述氧化物半導體層上的第一導電層及第二導電層，

其中，所述第一導電層不與所述第一部分接觸但與所述第二部分接觸，

所述第二導電層與所述第一部分的側表面接觸但不與所述第二部分接觸，

并且，所述氧化物半導體層中的與所述第一導電層接觸的區域和所述氧化物半導體層中的與所述第二導電層接觸的區域中的至少一方含有的降阻元素的濃度比所述氧化物半導體層的所述端部中含有的所述降阻元素的濃度低。

8.根據權利要求1、3和7中任一權利要求所述的半導體裝置，其中所述降阻元素為氯、氟、硼或氫。

9.根據權利要求1、3和7中任一權利要求所述的半導體裝置，其中所述第一部分及所述第二部分包括結晶部。

10.根據權利要求1、3和7中任一權利要求所述的半導體裝置，其中所述第二部分的氧濃度高于所述第一部分的氧濃度。

11.根據權利要求1、3和7中任一權利要求所述的半導體裝置，其中所述柵極、所述氧化物半導體層、所述第一導電層以及所述第二導電層具有圓形形狀或多角形形狀。