[發明專利]三維集成微型變壓器

有效

• 申請號: 201210475510.5
• 申請日: 2012-11-21
• 公開（公告）號: CN102969304A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 伍榮翔;李威;單建安;羅和平
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01F27/28
• 代理公司: 成都惠迪專利事務所 51215
• 代理人: 劉勛

1.三維集成微型變壓器，其特征在于，在上層芯片的下方設置有第一金屬線圈[12]，下層芯片的上方設置有第二金屬線圈[22]，第一金屬線圈[12]和第二金屬線圈[22]位置相對，兩層芯片上的金屬線圈之間為隔離層[30]。

2.如權利要求1所述的三維集成微型變壓器，其特征在于，第一金屬線圈[12]設置于上層芯片的下表面，第一金屬線圈[12]和上層芯片襯底[10]之間為絕緣層；第二金屬線圈[22]設置于下層芯片的上表面，第二金屬線圈[22]和下層芯片襯底[20]之間為絕緣層。

3.如權利要求1所述的三維集成微型變壓器，其特征在于，第一金屬線圈[12]嵌入設置于上層芯片襯底[10]，第一金屬線圈[12]和上層芯片襯底[10]之間為絕緣層；第二金屬線圈[22]嵌入設置于下層芯片襯底[20]，第二金屬線圈[22]和下層芯片襯底[20]之間為絕緣層。

4.如權利要求1所述的三維集成微型變壓器，其特征在于，第一金屬線圈[12]設置于上層芯片的下表面，第一金屬線圈[12]和上層芯片襯底[10]之間為絕緣層；第二金屬線圈[22]嵌入設置于下層芯片襯底[20]，第二金屬線圈[22]和下層芯片襯底[20]之間為絕緣層。

5.如權利要求1所述的三維集成微型變壓器，其特征在于，第一金屬線圈[12]嵌入設置于上層芯片襯底[10]，第一金屬線圈[12]和上層芯片襯底[10]之間為絕緣層；第二金屬線圈[22]設置于下層芯片的上表面，第二金屬線圈[22]和下層芯片襯底[20]之間為絕緣層。