[發明專利]一種石墨舟預處理替代片及石墨舟預處理方法無效
| 申請號: | 201210475475.7 | 申請日: | 2012-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN103824795A | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發明(設計)人: | 王在發;陳磊;何悅;何雙權 | 申請(專利權)人: | 尚德太陽能電力有限公司;無錫尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;C23C16/458;C23C16/34 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201112 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 預處理 替代 方法 | ||
1.一種石墨舟預處理替代片,用于石墨舟清洗后的預處理,所述石墨舟包括多個層疊設置的舟片,所述每一舟片上包括多個用于承載工件片的工藝卡點,其特征在于,所述石墨舟預處理替代片的形狀與所述工藝卡點相匹配,其邊緣區域厚度范圍為100~300μm,其中心區域厚度范圍為1~3mm。
2.根據權利要求1所述的石墨舟預處理替代片,其特征在于,所述石墨舟預處理替代片為邊長為125mm或156mm的正方形,所述正方形的邊緣區域為楔形,所述楔形的末端厚度為100~300μm。
3.根據權利要求2所述的石墨舟預處理替代片,其特征在于,所述每一替代片對應三個工藝卡點,所述工藝卡點分別支撐在每一替代片的三個側面,所述每一代替片通過對應的工藝卡點傾斜5至10度設置在舟片上。
4.根據權利要求1所述的石墨舟預處理替代片,其特征在于,所述石墨舟預處理替代片的材質為石墨或碳纖維。
5.一種石墨舟預處理方法,其特征在于,該方法包括以下步驟:a、提供一進行預處理的石墨舟,所述石墨舟上具有多個工藝卡點;b、提供與石墨舟數量相匹配的如權利要求1至3項任一項所述的石墨舟預處理替代片;c、將所述石墨舟預處理替代片設置在所述石墨舟的工藝卡點上;d、將所述石墨舟設置到化學氣相沉積設備中沉積氮化硅。
6.根據權利要求5所述的石墨舟預處理方法,其特征在于,在步驟c中,所述化學氣相沉積設備為等離子增強化學氣相沉積設備。
7.根據權利要求5所述的石墨舟預處理方法,其特征在于,該方法還包括步驟e、通過氫氟酸溶液對所述石墨舟預處理替代片進行清洗。
8.根據權利要求7所述的石墨舟預處理方法,其特征在于,步驟e是在進行4至6次步驟d中氮化硅沉積后再進行。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





