[發明專利]半導體器件制造方法有效
| 申請號： | 201210475191.8 | 申請日： | 2012-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN103839793B | 公開（公告）日： | 2018-02-13 |
| 發明（設計）人： | 崔虎山;鐘匯才;趙超 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙)11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件制造方法，包括：
在襯底上形成假柵極絕緣層和假柵極層；
在假柵極層兩側形成氧化硅的襯層；
在襯層兩側的襯底上形成柵極側墻，柵極側墻與假柵極絕緣層、襯層接觸的部分為氧化硅之外的材質；
去除假柵極層，直至暴露假柵極絕緣層；
去除假柵極絕緣層，直至暴露襯底，形成柵極溝槽，其中避免使用氟基溶液去除假柵極絕緣層，從而避免襯底受到侵蝕。
2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成假柵極絕緣層之前還采用HF基溶液清洗襯底表面。
3.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成假柵極層之后還包括在上方形成硬掩模層，并刻蝕形成假柵極堆疊。
4.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，柵極側墻為多層結構，包括第一柵極側墻、柵極側墻間隔層、第二柵極側墻。
5.如權利要求4的半導體器件制造方法，其中，第一柵極側墻包括氮化硅、非晶碳及其組合，柵極側墻間隔層包括氧化硅，第二柵極側墻包括氮化硅、氮氧化硅、DLC及其組合。
6.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，假柵極絕緣層包括氮化硅。
7.如權利要求6的半導體器件制造方法，其中，采用熱磷酸濕法腐蝕去除假柵極絕緣層。
8.如權利要求7的半導體器件制造方法，其中，熱磷酸腐蝕之后還采用含臭氧的去離子水清洗，以在襯底表面形成界面層。
9.如權利要求7的半導體器件制造方法，其中，延長熱磷酸腐蝕時間以清除假柵極絕緣層下方的氧化物，并同時去除了襯層。
10.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成襯層的方法包括氧化假柵極層或者沉積形成氧化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
