[發明專利]SOI上用于電子束套刻的凹陷型對準標記及制作方法有效
| 申請號： | 201210474410.0 | 申請日： | 2012-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN102983119A | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 曾成;夏金松;李丹萍 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;H01L21/02;G03F9/00 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | soi 用于 電子束 凹陷 對準 標記 制作方法 | ||
1.一種SOI上電子束套刻工藝中所需的對準標記，其特征在于，其為在頂硅層厚度小于1μm的在SOI襯底上加工有凹陷。?
2.根據權利要求1所述的SOI上電子束套刻工藝中所需的對準標記，其特征在于，所述凹陷為深度大于2μm的方形、十字形或L形。?
3.SOI上電子束套刻工藝中所需的凹陷型對準標記的制作方法，具體為：?
（1）清洗SOI襯底；?
（2）在SOI襯底上涂敷光學抗蝕劑，采用光刻工藝將對準標記的版圖轉移到光學抗蝕劑上；?
（3）在SOI襯底和光學抗蝕劑表面鍍金屬薄膜；?
（4）剝離去除鍍在光學抗蝕劑上的金屬薄膜；?
（5）在剝離金屬薄膜處刻蝕SOI襯底的硅和二氧化硅，得到凹陷標記；?
（6）去除SOI襯底上余下的金屬薄膜。?
4.根據權利要求3所述的對準標記的制作方法，其特征在于，所述凹陷型對準標記為深度大于2μm的方形、十字形或L形。?
5.根據權利要求3或4所述的對準標記的制作方法，其特征在于，所述步驟（3）采用丙酮剝離去除鍍在光學抗蝕劑上的金屬薄膜。?
6.根據權利要求3或4所述的對準標記的制作方法，其特征在于，所述步驟（4）采用采用干法刻蝕法。?
7.根據權利要求3或4所述的對準標記的制作方法，其特征在于，所述步驟（5）采用濕法腐蝕去除SOI襯底上余下的金屬薄膜。?
8.根據權利要求3或4所述的對準標記的制作方法，其特征在于，所述步驟（2）采用磁控濺射鍍膜法或蒸發鍍膜法鍍金屬薄膜。?
9.按照權利要求3-8任意一項權利要求所述的制作方法制備得到的凹?陷對準標記。?
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