[發明專利]具有新式邊緣鰭狀件的FINFET結構

有效

• 申請號: 201210473533.2
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103247678A
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 陳重輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，包括多個有源區，

所述多個有源區中的每一個均包括：

多個等間隔鰭狀件，包括一個或多個規則鰭狀件和至少一個邊緣鰭狀件；

柵極結構，在所述一個或多個規則鰭狀件之上；以及

漏極區和源極區，所述漏極區和所述源極區電連接至所述一個或多個規則鰭狀件并且與所述至少一個邊緣鰭狀件隔開，

其中，所述一個或多個規則鰭狀件、所述柵極結構、所述漏極區以及所述源極區形成鰭式場效應晶體管(FinFET)。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵極結構被進一步設置在所述至少一個邊緣鰭狀件之上。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述柵極結構和所述至少一個邊緣鰭狀件形成去耦電容器。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，進一步包括：互連件，將所述至少一個邊緣鰭狀件電連接至所述柵極結構。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：設置在所述至少一個邊緣鰭狀件之上的所述柵極結構的一部分，其中，所述柵極結構的該部分使所述柵極結構的導電元件與所述至少一個邊緣鰭狀件直接接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：互連件，將所述至少一個邊緣鰭狀件電連接至電壓源。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述至少一個邊緣鰭狀件是一至四個鰭狀件。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，每個規則鰭狀件的有效溝道寬度具有小于約5％的變化。

9.一種基于鰭式場效應晶體管(FinFET)的半導體器件，包括：

數字區和模擬區，所述模擬區包括多個有源區，

其中，所述多個有源區中的每一個均包括：

多個鰭狀件，包括一個或多個規則鰭狀件和至少一個邊緣鰭狀件；

多個柵極結構，在所述一個或多個規則鰭狀件之上；以及

漏極區和源極區，所述漏極區和所述源極區電連接至所述一個或多個規則鰭狀件并且與所述至少一個邊緣鰭狀件隔開，

其中，所述至少一個邊緣鰭狀件和相鄰的規則鰭狀件之間的距離比兩個相鄰規則鰭狀件之間的距離大一倍至五倍。

10.一種方法，包括：

提供硅襯底；

在所述硅襯底上形成多個鰭狀件以及所述多個鰭狀件之間的氧化物層；

跨過所述多個鰭狀件的第一部分形成多個柵極結構；

跨過所述多個鰭狀件的第二部分形成源極區；

跨過所述多個鰭狀件的所述第二部分形成漏極區；以及

跨過所述多個鰭狀件的所述第二部分形成多條金屬線，

其中，所述鰭狀件的所述第二部分小于所述多個鰭狀件，并且所述鰭狀件的所述第一部分至少覆蓋所述鰭狀件的所述第二部分。