[發明專利]陣列基板、其制作方法、其測試方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201210473102.6
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN102944959A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 張彌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/13;H01L21/77;H01L23/544
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;陳源

1.一種陣列基板，包括多個像素單元，所述像素單元包括薄膜晶體管、像素電極、公共電極和鈍化層，所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極及漏電極，所述漏電極與所述像素電極相連，所述鈍化層覆蓋在所述有源層、源電極、漏電極以及像素電極上，所述公共電極隔著所述鈍化層設置于像素電極上方，其特征在于，在所述有源層上、所述鈍化層下還設有測試電極，所述測試電極與所述柵電極、所述源電極及所述漏電極電絕緣。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述鈍化層在所述測試電極上的位置處設有過孔。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵極絕緣層；所述柵極絕緣層覆蓋在柵電極上，所述有源層設置在柵電極上方的柵極絕緣層上，所述源電極與漏電極分別設置在有源層上。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵極絕緣層；所述柵極絕緣層覆蓋在柵電極上，所述源電極與漏電極分別設置在柵電極兩側的柵極絕緣層上，所述有源層設置在所述柵電極上方的柵極絕緣層上，并延伸至所述源電極與漏電極上。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極延伸至所述測試電極上方。

6.一種顯示裝置，包括如權利要求1-5中任一項所述的陣列基板。

7.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）在基板上形成薄膜晶體管、像素電極和測試電極，所述薄膜晶體管包括有源層、柵電極、源電極及漏電極，并使所述像素電極與薄膜晶體管中的漏電極相連，所述測試電極形成在有源層上，以及所述測試電極與所述柵電極、所述源電極及所述漏電極電絕緣；

2）在完成步驟1）的基板上形成鈍化層，并使所述鈍化層覆蓋在所述測試電極、有源層、源電極、漏電極以及像素電極上；

3）在完成步驟2）的基板上形成公共電極，并使所述公共電極隔著所述鈍化層位于像素電極上方。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步驟2）還包括如下步驟：在所述鈍化層位于所述測試電極上的位置處形成過孔。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，

所述步驟1）還包括形成柵極絕緣層的步驟，具體為：

在基板上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵極絕緣層；在所述柵電極上方的柵極絕緣層上形成有源層；在所述有源層上分別形成源電極與漏電極。

10.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，

所述步驟1）還包括形成柵極絕緣層的步驟，具體為：

在基板上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵極絕緣層；分別在所述柵電極兩側的柵極絕緣層上形成源電極與漏電極；在所述柵電極上方的柵極絕緣層上、以及源電極與漏電極上形成有源層。

11.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述步驟1）中，所述測試電極與所述源電極、漏電極在同一次構圖工藝中形成；所述測試電極與所述源電極、漏電極的材質相同。

12.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述公共電極延伸至所述測試電極上方。

13.一種測試方法，用于測試如權利要求1所述的陣列基板上的薄膜晶體管的溝道性能，其特征在于，所述方法包括下述步驟：

使待檢測的像素上的公共電極與其他像素上的公共電極彼此分離；

在待檢測的像素中，在所述測試電極上方的鈍化層上形成過孔；以及

使所述公共電極與所述測試電極通過導電材料層電連接。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述導電材料層是在制造時便已隔著鈍化層覆蓋于所述測試電極上方的公共電極。

15.根據權利要求13或14所述的方法，其特征在于，通過激光燒熔的方法在所述測試電極上方的鈍化層上形成過孔，并使導電材料層熔化并流入所述過孔中。

16.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述導電材料層是在測試時用化學氣相沉積設備沉積導電材料而形成。