[發明專利]GaN基LED制造工藝中的一種背面金屬反射層陣列的制作方法

有效

• 申請號: 201210472863.X
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN102931300B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 王強;李國琪;計建新
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/46
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 馬曉亞

1.一種GaN基LED制造工藝中的金屬反射層陣列的制作方法，所述GaN基LED包括襯底、外延層、透明電極層、金屬電極層和氧化物保護層，其中所述金屬反射層陣列的制作方法包括步驟：

用光刻膠在襯底的、與所述外延層相對的另一面上制備陣列圖形掩模；

通過刻蝕工藝，借助于所述陣列圖形掩模，在襯底上刻蝕出陣列圖形結構；

在所述陣列圖形結構上形成金屬反射層；

去除光刻膠以便對光刻膠表面的金屬反射層進行剝離，從而得到最終的金屬反射層。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述刻蝕工藝采用的是干法刻蝕工藝，所述干法刻蝕工藝采用的是ICP刻蝕設備。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述“用光刻膠在襯底的、與所述外延層相對的另一面上制備陣列圖形掩模”包括步驟：

在襯底的、與所述外延層相對的另一面上形成光刻膠層，其中所述形成光刻膠層進一步包括涂膠和前烘；

利用光刻掩模，通過對光刻膠層進行曝光操作、顯影操作而制備陣列圖形掩模。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述襯底是藍寶石襯底，所述外延層包括N型GaN層、多量子阱層以及P型GaN層，所述金屬反射層是具有低吸收率和高反射率的金屬層，所述透明電極層是ITO電極層。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述金屬反射層由以下金屬材料或者以下金屬材料的合金而制成：Al、Au、Ag、Ni、W、Ti和Pt；所述金屬電極層由以下金屬材料或者以下金屬材料的合金而制成：Ni、Au、Ti、Al。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述“在所述陣列圖形結構上形成金屬反射層”的操作包括以下步驟：通過蒸鍍工藝而在所述陣列圖形結構上沉積金屬反射層，通過真空濺射工藝而在所述陣列圖形結構上形成金屬反射層。

7.一種GaN基LED，包括襯底、外延層、透明電極層、金屬電極層和氧化物保護層，其中在所述GaN基LED的襯底的、與所述外延層相對的另一面上具有按照權利要求1所述的制作方法而制作的金屬反射層。

8.根據權利要求7所述的GaN基LED，其特征在于，所述襯底是藍寶石襯底，所述外延層包括N型GaN層、多量子阱層以及P型GaN層，所述金屬反射層是具有低吸收率和高反射率的金屬層，所述透明電極層是ITO電極層。

9.根據權利要求8所述的GaN基LED，其特征在于，所述金屬反射層由以下金屬材料或者以下金屬材料的合金而制成：Al、Au、Ag、Ni、W、Ti和Pt。

10.根據權利要求7所述的GaN基LED，其特征在于，所述金屬電極層由以下金屬材料或者以下金屬材料的合金而制成：Ni、Au、Ti、Al。