[發(fā)明專利]光纖對(duì)準(zhǔn)器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210472670.4
• 申請(qǐng)日: 2012-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN103837938A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳瑜;羅嘯;陳華倫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G02B6/38
• 分類號(hào): G02B6/38;G03F1/80
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種光纖對(duì)準(zhǔn)器件，其特征在于，包括：

一襯底結(jié)構(gòu)，該襯底結(jié)構(gòu)為硅襯底或玻璃襯底；

至少一溝槽，形成于所述襯底結(jié)構(gòu)上；

一封閉薄片，形成于所述襯底結(jié)構(gòu)表面并從頂部將所述溝槽封閉，各所述溝槽的長(zhǎng)度方向的兩側(cè)供光纖插入；

各所述溝槽的寬度和深度都根據(jù)光纖直徑的大小進(jìn)行設(shè)置，設(shè)置范圍為各所述溝槽的寬度和深度為126.3μm～150μm，使光纖插入到所述溝槽中后能和所述溝槽的兩個(gè)側(cè)面、底面和頂面都相切。

2.如權(quán)利要求1所述的光纖對(duì)準(zhǔn)器件，其特征在于：各所述溝槽之間在長(zhǎng)度方向呈平行排列結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的光纖對(duì)準(zhǔn)器件，其特征在于：在各所述溝槽的長(zhǎng)度方向上，各所述溝槽各位置處的寬度相同。

4.如權(quán)利要求1或2所述的光纖對(duì)準(zhǔn)器件，其特征在于：在各所述溝槽的長(zhǎng)度方向上，各所述溝槽中間區(qū)域的寬度相同、各所述溝槽的兩側(cè)的寬度大于中間區(qū)域的寬度，用于方便光纖的插入。

5.一種光纖對(duì)準(zhǔn)器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、提供一襯底結(jié)構(gòu)，該襯底結(jié)構(gòu)為硅襯底或玻璃襯底；

步驟二、在所述襯底結(jié)構(gòu)上形成一硬質(zhì)掩模層；

步驟三、采用光刻工藝在所述硬質(zhì)掩模層上用光刻膠定義出一個(gè)以上的溝槽的圖形結(jié)構(gòu)，各所述溝槽的寬度根據(jù)光纖直徑的大小進(jìn)行設(shè)置，設(shè)置范圍為各所述溝槽的寬度和深度為126.3μm～150μm，使光纖插入到所述溝槽中后能和所述溝槽的兩個(gè)側(cè)面都相切；

步驟四、以所述光刻膠為掩模依次對(duì)所述硬質(zhì)掩模層和所述襯底結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕形成各所述溝槽，各所述溝槽的刻蝕深度根據(jù)光纖直徑的大小進(jìn)行設(shè)置，使光纖插入到所述溝槽中后能和所述溝槽的底面和頂面都相切；

步驟五、依次去除所述光刻膠和所述硬質(zhì)掩模層；

步驟六、在所述襯底結(jié)構(gòu)的表面形成封閉薄片，該封閉薄片從頂部將所述溝槽封閉，各所述溝槽的長(zhǎng)度方向的兩側(cè)供光纖插入。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述襯底結(jié)構(gòu)為硅襯底時(shí)，所述硬質(zhì)掩模層的材料為二氧化硅或氮化硅；所述襯底結(jié)構(gòu)為玻璃襯底時(shí)，所述硬質(zhì)掩模層的材料為多晶硅或氮化硅。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：步驟四中各所述溝槽之間在長(zhǎng)度方向呈平行排列結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求5或7所述的方法，其特征在于：在各所述溝槽的長(zhǎng)度方向上，各所述溝槽各位置處的寬度相同。

9.如權(quán)利要求5或7所述的方法，其特征在于：在各所述溝槽的長(zhǎng)度方向上，各所述溝槽中間區(qū)域的寬度相同、各所述溝槽的兩側(cè)的寬度大于中間區(qū)域的寬度，用于方便光纖的插入。

10.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于：所述封閉薄片為平整度在20×20平方毫米范圍內(nèi)小于1微米的硬質(zhì)材料，該硬質(zhì)材料為二氧化硅、氮化硅、塑料、單晶硅或多晶硅。