[發明專利]一種超高導熱性能的單面印制線路板及制作方法

無效

• 申請號: 201210472625.9
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN102938971A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 王強;易勝;陸景富;徐緩
• 申請（專利權）人: 深圳市博敏電子有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/05;H05K3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種超高導熱性能的單面印制線路板，其特征在于包括：

一金屬基層，該金屬基層上設置有用于安裝大功率電子元器件或大功率芯片的凸臺；

一絕緣層，該絕緣層與金屬基層形狀大小相同，且絕緣層上設置有與上述凸臺位置對應且形狀大小相同的第一開窗；

一銅箔層，該銅箔層與金屬基層形狀大小相同，且銅箔層上設置有與上述凸臺位置對應且形狀大小相同的第二開窗；

銅箔層、絕緣層由上向下依次覆蓋于金屬基層上，所述凸臺對應位于第二開窗和第一開窗中，且凸臺上表面與銅箔層上表面處于同一水平面上。

2.根據權利要求1所述的超高導熱性能的單面印制線路板，其特征在于所述絕緣層為半固化片或帶有導熱功能的粘接片。

3.根據權利要求1所述的超高導熱性能的單面印制線路板，其特征在于所述金屬基層為導熱系數滿足≥260W/mK的鋁基層或導熱系數滿足≥400W/mK的銅基層。

4.根據權利要求1所述的超高導熱性能的單面印制線路板，其特征在于所述金屬基層與凸臺一體成型。

5.一種如權利要求1～4所述超高導熱性能的單面印制線路板的制作方法，其特征在于包括：

S1、制作帶有凸臺的金屬基層，且所述凸臺位置為安裝大功率芯片或大功率電子元器件的位置；

S2、制作具有開窗的絕緣層和銅箔層，使絕緣層和銅箔層的開窗位置與凸臺位置對應，且使絕緣層和銅箔層的開窗形狀、大小與凸臺的橫截面形狀大小相同；

S3、對金屬基層凸臺所在面進行棕化處理，然后將開窗的絕緣層對應貼在金屬基層上，且使凸臺對應位于絕緣層的開窗中；之后將開窗的銅箔層對應覆蓋在絕緣層上，并使銅箔層的開窗與絕緣層的開窗對應，使凸臺對應位于銅箔層的開窗中；然后對銅箔層、絕緣層以及金屬基層進行層壓，形成單面印制線路板。

6.根據權利要求5所述的超高導熱性能的單面印制線路板的制作方法，其特征在于S1具體包括：

S101、通過水平磨板機對金屬基層進行表面清潔；

S102、去除用于安裝大功率電子元器件或芯片的凸臺位置以外的金屬，制得帶有凸臺的金屬基層。

7.根據權利要求6所述的超高導熱性能的單面印制線路板的制作方法，其特征在于S102包括：

根據編制好的機械加工文件，通過電鑼的方式去除文件指定位置的金屬基。

8.根據權利要求6所述的超高導熱性能的單面印制線路板的制作方法，其特征在于S102包括：

通過涂覆或壓貼抗酸或抗堿保護膜，根據制訂好的圖形轉移菲林進行曝光，并將需要去除的金屬基的保護膜顯影掉，以裸露出金屬基，之后通過酸蝕或堿蝕去除不需要的金屬基。

9.根據權利要求6所述的超高導熱性能的單面印制線路板的制作方法，其特征在于所述絕緣層為半固化片或粘接片；所述金屬基層為導熱系數滿足≥260W/mK的鋁基層或導熱系數滿足≥400W/mK的銅基層。

10.根據權利要求6所述的超高導熱性能的單面印制線路板的制作方法，其特征在于S3之后還包括：

對單面印制線路板進行線路、阻焊、字符工藝；并最后進行SMT制程，將大功率電子元器件或大功率芯片的非導體位置放置在金屬基層的凸臺上。

本發明還提供了一種超高導熱性能的單面印制線路板的制作方法，包括：

S1、制作帶有凸臺的金屬基層，且所述凸臺位置為安裝大功率芯片或大功率電子元器件的位置；

S2、制作具有開窗的絕緣層和銅箔層，使絕緣層和銅箔層的開窗位置與凸臺位置對應，且使絕緣層和銅箔層的開窗形狀、大小與凸臺的橫截面形狀大小相同；

S3、對金屬基層凸臺所在面進行棕化處理，然后將開窗的絕緣層對應貼在金屬基層上，且使凸臺對應位于絕緣層的開窗中；之后將開窗的銅箔層對應覆蓋在絕緣層上，并使銅箔層的開窗與絕緣層的開窗對應，使凸臺對應位于銅箔層的開窗中；然后對銅箔層、絕緣層以及金屬基層進行層壓，形成單面印制線路板。

優選地，S1具體包括：

S101、通過水平磨板機對金屬基層進行表面清潔；

S102、去除用于安裝大功率電子元器件或芯片的凸臺位置以外的金屬，制得帶有凸臺的金屬基層。

優選地，S102包括：

根據編制好的機械加工文件，通過電鑼的方式去除文件指定位置的金屬基。

優選地，S102包括：

通過涂覆或壓貼抗酸或抗堿保護膜，根據制訂好的圖形轉移菲林進行曝光，并將需要去除的金屬基的保護膜顯影掉，以裸露出金屬基，之后通過酸蝕或堿蝕去除不需要的金屬基。

優選地，所述絕緣層為半固化片或粘接片；所述金屬基層為導熱系數滿足≥260W/mK的鋁基層或導熱系數滿足≥400W/mK的銅基層。

優選地，S3之后還包括：

對單面印制線路板進行線路、阻焊、字符工藝；并最后進行SMT制程，將大功率電子元器件或大功率芯片的非導體位置放置在金屬基層的凸臺上。