[發明專利]包含鉛?碲基氧化物的導電組合物在具有輕摻雜發射器的半導體裝置的制造中的用途

有效

• 申請號: 201210472608.5
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103681949B
• 公開（公告）日: 2017-08-15
• 發明（設計）人: B·J·勞克林;K·R·米克斯卡;C·托拉迪;P·D·韋努伊
• 申請（專利權）人: E·I·內穆爾杜邦公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01B1/22;H01L31/0224
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 朱黎明

1.一種用于在包含輕摻雜發射器的硅半導體基板上形成電極的方法，所述方法包括：

(a)提供承載結點的硅半導體基板，所述基板具有前側表面和后側表面面，并且包括設置在至少所述硅半導體基板的所述前側表面上的一個或多個絕緣膜以及在所述硅半導體基板的所述前側表面處的輕摻雜發射器；

(b)將厚膜導電漿料組合物施用到所述一個或多個絕緣膜的至少一部分上以形成層狀結構，所述厚膜導電漿料組合物包含：

i)80-99.5重量％的導電金屬；

ii)0.5-20重量％的Pb-Te基氧化物；和

iii)有機介質，

其中所述導電金屬和所述Pb-Te基氧化物分散在所述有機介質中，并且上述重量％是基于所述導電金屬和所述Pb-Te基氧化物的總重量計的；

所述Pb-Te基氧化物包含30-75重量％的PbO和25-70重量％的TeO₂，其中所述Pb-Te基氧化物中氧化物的重量％是基于所述Pb-Te基氧化物的總重量計的，并且所述Pb-Te基氧化物中氧化物的總量為100重量％；以及

(c)焙燒所述硅半導體基板、所述一個或多個絕緣膜和所述厚膜導電漿料組合物，其中所述厚膜導電漿料組合物的所述有機介質揮發，從而形成與所述一個或多個絕緣層接觸且與所述硅半導體基板電接觸的電極。

2.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括干燥所述厚膜導電漿料組合物的步驟，其中所述干燥步驟在步驟(b)之后但在步驟(c)之前進行。

3.根據權利要求1所述的方法，所述Pb-Te基氧化物包含36-52重量％的PbO和35-55重量％的TeO₂。

4.根據權利要求1所述的方法，所述Pb-Te基氧化物還包含0-2重量％的Li₂O、0-4重量％的Na₂O和0-4重量％的Cr₂O₃，前提條件是所述Li₂O、所述Na₂O和所述Cr₂O₃的總重量％在0.5-8重量％的范圍內。

5.根據權利要求4所述的方法，所述Pb-Te基氧化物還包含1.65-20重量％的Bi₂O₃，前提條件是所述Li₂O和所述Bi₂O₃的總重量％在3.65-20重量％的范圍內。

6.根據權利要求4或5所述的方法，所述Pb-Te基氧化物還包含選自下列的一種或多種氧化物：SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、CuO、TiO₂、Ag₂O、NiO、Fe₂O₃和RuO₂。

7.一種硅半導體裝置，包含由權利要求1-6中的任一項的方法制備的輕摻雜發射器。

8.根據權利要求7所述的硅半導體裝置，其中所述硅半導體裝置為光伏電池。

9.一種包括輕摻雜發射器和由厚膜導電漿料組合物形成的電極的光伏電池，所述光伏電池包括：

i)80-99.5重量％的導電金屬；

ii)0.5-20重量％的Pb-Te基氧化物；和

iii)有機介質，

所述導電金屬和所述Pb-Te基氧化物分散在所述有機介質中，上述重量％是基于所述導電金屬和所述Pb-Te基氧化物的總重量計的；

所述Pb-Te基氧化物包含30-75重量％的PbO和25-70重量％的TeO₂，所述Pb-Te基氧化物中氧化物重量％是基于所述Pb-Te基氧化物的總重量計的，所述Pb-Te基氧化物中氧化物的總量為100重量％，并且其中所述厚膜導電漿料組合物已被焙燒以除去所述有機介質并形成所述電極。