[發明專利]一種紫外探測裝置的制造方法無效
| 申請號: | 201210472547.2 | 申請日: | 2012-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN103050628A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發明(設計)人: | 張俊;叢國芳 | 申請(專利權)人: | 溧陽市生產力促進中心 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;C07D333/70;C07D333/56;C07D333/60;C07D495/04;C07D307/85;C07D307/80;C07D209/12 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 查俊奎 |
| 地址: | 213300 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 紫外 探測 裝置 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種光電裝置的制造方法,尤其涉及一種探測裝置的制造方法。?
背景技術
紫外光是指波長在200nm到400nm之間的電磁波,它在自然界和人們的生活中廣泛存在。紫外探測技術是繼紅外探測、激光探測后發展起來的又一新型探測技術,廣泛應用于環境監測、天文學、國防軍事和天際通信等領域。?
現有技術中比較成熟的紫外探測器件以真空光電倍增管和紫外增強型硅光電二極管為主,前者體積大、工作電壓高;后者需要昂貴的濾光片來減小可見光及紅外光的影響,給實際應用帶來困難。隨著半導體技術的發展,人們對寬帶隙半導體材料也進行了大量研究,并利用寬帶隙半導體材料,例如ZnO和GaN等材料制備了紫外探測器件,由于ZnO和GaN等半導體材料具有激子束縛能高、生長溫度低和抗輻射能力強等優點,可以制備高性能的紫外探測器件。但是這類器件不透明、不可彎曲,且制備過程需要加熱處理,工藝復雜,制備成本較高。?
而隨著大氣臭氧層破壞的加劇,輻照到地球表面的紫外光越來越強,人們開始關注紫外輻射對人體健康的影響。及時準確地檢測外界環境紫外光輻射強度,便可以采取有效的防護措施,降低病變的發生,因此便攜式紫外探測器成為人們研究的熱點。同時,隨著信息技術和電子技術的不斷發展,人們對低成本、柔性、低重量、便攜式的電子產品的需求越來越大。隨著生物交叉科學的發展,人們對各種透明或半透明器件也具有更多的需求。而現有技術中傳統的基于無機半導體材料的探測器件很難滿足這些要求,因此可以實現這些特性的基于有機半導體材料的電子器件得到了人們越來越多的關注。?
發明內容
本發明公開了一種紫外探測裝置的制造方法,該裝置中的紫外探測器件透明、柔性、重量小,可以提高紫外探測器的應用范圍,滿足人們的需求。?
本發明的紫外探測裝置的制備方法包括如下步驟:?
制備紫外探測器件;從紫外探測器件上引出引腳;將紫外探測器件封裝在外殼中;
其中,所述紫外探測器件的制備方法包括如下步驟:?
1)準備柔性襯底;?
2)在柔性襯底表面沉積活性層;?
3)在活性層表面沉積透明叉指電極;?
其中,活性層的材料為苯并五元不飽和雜環化合物,其具有如通?式I所示結構,?
式中,?X代表O、S或NR7,其中R7代表H、烴基、鹵代烴基、羰基烴基、羥基烴基、氨基烴基或烴氧基;?
Y代表CO或CR1’OH;R1’代表以下基團:H、OH、含有1-18個碳的烴基、羧基、酰基、烷氧基、磺酸基;?
R1代表以下基團:H、OH、含有1-18個碳的烴基、羧基、酰基、烷氧基、磺酸基、CH2S(O)nR8、R9取代苯丙烯基;其中R8代表H、含有1-18個碳的烴基、鹵代烴基、羥基烴基或烴氧基,n=1-2;R9代表H、烴基、烷氧基、鹵素、羧基、氨基或取代的氨基;且R1可以與R1’相同,也可以與R1’不同;?
R2代表以下基團:H、含有1-18個碳的烴基、鹵素、酰基、羧基、氨基或取代的氨基、磺酸基、腈基或酰基烴氧基等;?
R3代表以下基團:H、烴基、烷氧基、鹵素或鹵代烷基、羧基、氨基或取代的氨基、酰基、酰胺基、酯基或磺酸基等;?
R4代表以下基團:H、烴基、烷氧基、鹵素或鹵代烷基、羧基,氨基?或取代的氨基、酰胺基、酰基、酯基或磺酸基等;?
R5代表以下基團:H、烴基、烷氧基、鹵素或鹵代烷基、羧基、氨基或取代的氨基、酰基、酰胺基、酯基或磺酸基等;?
R6代表以下基團:H、烴基、烷氧基、鹵素或鹵代烷基、羧基、氨基或取代的氨基、酰基、酰胺基、酯基或磺酸基等;或者,?
R4與R5通過碳、氧或氮連接在一起形成5-7元環結構或帶有取代基R10的5-7元環結構,其中R10代表H、烴基、鹵代烴基、羰基烴基、羥基烴基、氨基烴基或烴氧基;?
該化合物的制造方法為:?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





