[發明專利]一種氣化爐高溫合成氣激冷裝置及方法

有效

• 申請號: 201210471759.9
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN102952588A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 傅培舫;余波;徐才福
• 申請（專利權）人: 華中科技大學;中國五環工程有限公司
• 主分類號: C10J3/82
• 分類號: C10J3/82;C10J3/84
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 朱仁玲

1.一種氣化爐高溫合成氣激冷裝置，包括煤氣化爐、激冷室和合成氣導管，其特征在于，所述激冷室為由圓形、矩形或多邊形截面沿著截面的法線方向運動形成的空間；所述激冷室的周界上布置多層噴頭單元，每一層噴頭單元包括：多個沿著周向切圓布置的噴頭，當煤氣化爐生成的合成氣經合成氣導管進入激冷室進行激冷時，所述噴頭逆著合成氣的運動方向噴入冷卻介質使得所述冷卻介質與所述合成氣均勻混合。

2.如權利要求1所述的激冷裝置，其特征在于，所述激冷裝置還包括用于控制所述噴頭的噴水量的控制裝置。

3.如權利要求1所述的激冷裝置，其特征在于，所述多個噴頭沿著周向切圓均勻布置。

4.如權利要求1所述的激冷裝置，其特征在于，所述冷卻介質包括冷卻水、冷卻蒸汽、二氧化碳或氮氣。

5.如權利要求1所述的激冷裝置，其特征在于，所述噴頭包括內層和外層，所述內層用于噴射冷卻水或氣，所述外層用于噴射冷卻水蒸氣或水。

6.一種氣化爐高溫合成氣激冷方法，其特征在于，包括下述步驟：

S1：沿著激冷室的周界上布置多層噴頭單元，在每一層噴頭單元中沿著周向切圓布置多個噴頭；

S2：所述噴頭將冷卻介質逆著合成氣的方向切圓噴入激冷室；

S3：采集預設的溫度測點的溫度；

S4：判斷所述采集的溫度是否等于溫度閾值，若是，則結束；若否，則進入步驟S5；

S5：調整所述噴頭的噴水量并返回至步驟S2。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟S2中，所述激冷室的入口側噴水層的切圓直徑不小于所述激冷室的出口側的切圓直徑。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟S3中，在激冷室的下游3米以后預設所述溫度測點。

9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在步驟S4中，所述溫度閾值根據實際的工藝需求設定。