[發(fā)明專利]熱致發(fā)聲器陣列的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210471232.6
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103841506B
• 公開（公告）日: 2017-09-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏洋;林曉陽;姜開利;范守善
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: H04R31/00
• 分類號: H04R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其包括以下步驟：

(a)提供一基底，所述基底包括一表面，在該基底的表面定義多個單元格子；

(b)在所述基底的表面每一單元格子內(nèi)形成多個平行且間隔設(shè)置的凹槽；

(c)在所述基底的表面每一單元格子內(nèi)形成至少一第一電極及至少一第二電極，任意相鄰的第一電極與第二電極之間具有至少一凹槽；

(d)在所述基底的表面貼附一熱致發(fā)聲元件，并使所述熱致發(fā)聲元件覆蓋每一單元格子，且與所述每一單元格子中的第一電極及第二電極電連接，所述熱致發(fā)聲元件在每一單元格子中的多個凹槽位置懸空；以及

(e)按照所述多個單元格子分割所述熱致發(fā)聲元件，使相鄰單元格子的熱致發(fā)聲元件之間電絕緣。

2.如權(quán)利要求1所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，在所述基底的表面形成多個切割線，所述基底的表面通過所述多個切割線被預(yù)分割形成多個單元格子。

3.如權(quán)利要求2所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述基底的表面通過濕法刻蝕的方法形成所述切割線。

4.如權(quán)利要求1所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述在基底的表面每一單元格子內(nèi)形成多個平行且間隔設(shè)置的凹槽包括以下步驟：

將一掩模設(shè)置于所述基底的該表面，所述掩模對應(yīng)每一單元格子具有多個平行且間隔設(shè)置的通孔；

刻蝕第一表面的每一單元格子，形成所述多個間隔的凹槽，所述凹槽的最大寬度大于等于0.2毫米且小于1毫米，相鄰凹槽之間的距離為20微米至200微米，所述凹槽的深度為100微米～200微米；以及

去除所述掩模。

5.如權(quán)利要求2所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述熱致發(fā)聲元件沿著所述切割線進行分割。

6.如權(quán)利要求1所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，在所述每一單元格子形成至少一第一電極及至少一第二電極這一步驟之前，進一步包括在所述基底的表面形成一絕緣層，所述絕緣層僅沉積于相鄰凹槽之間基底的表面或覆蓋整個基底的表面。

7.如權(quán)利要求1所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述基底的材料為單晶硅或多晶硅。

8.如權(quán)利要求1所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述熱致發(fā)聲元件為一碳納米管結(jié)構(gòu)，所述碳納米管結(jié)構(gòu)包括多個碳納米管與所述基底的表面大致平行且沿同一方向擇優(yōu)取向延伸。

9.如權(quán)利要求8所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，貼附所述熱致發(fā)聲元件時，使所述碳納米管結(jié)構(gòu)中碳納米管的延伸方向與所述凹槽形成一角度α，α大于0度且小于等于90度。

10.如權(quán)利要求8所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述碳納米管結(jié)構(gòu)為單層碳納米管膜或包括多層碳納米管膜重復(fù)鋪設(shè)的層狀結(jié)構(gòu)。

11.如權(quán)利要求8所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，進一步包括對所述基底的表面每個單元格子內(nèi)的碳納米管結(jié)構(gòu)進行處理的步驟，具體包括：利用激光切割所述基底的表面每個單元格子內(nèi)的所述碳納米管結(jié)構(gòu)，所述切割方向平行于所述碳納米管結(jié)構(gòu)中碳納米管的延伸方向，形成多個間隔的碳納米管帶；用有機溶劑處理所述碳納米管帶，使所述碳納米管帶收縮形成多個碳納米管線。

12.如權(quán)利要求11所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述對所述基底的表面每個單元格子內(nèi)的碳納米管結(jié)構(gòu)進行處理的步驟與步驟(e)同時進行或在步驟(e)之后進行。

13.如權(quán)利要求1所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述凹槽為盲槽或通槽。

14.如權(quán)利要求1所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，在基底的表面每一單元格子內(nèi)形成多個第一電極與多個第二電極，該多個第一電極與多個第二電極交替設(shè)置，多個第一電極相互電連接，多個第二電極相互電連接。

15.如權(quán)利要求1或14所述的熱致發(fā)聲器陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟(c)可在步驟(d)之后進行。