[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能電池電極的制備工藝無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210471140.8 | 申請(qǐng)日： | 2012-11-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102956749A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-03-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 費(fèi)存勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 泰通（泰州）工業(yè)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 225312 江*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 太陽(yáng)能電池 電極 制備 工藝 | ||
1.一種太陽(yáng)能電池電極的制備工藝，其特征是，包括以下步驟：
?????a、在沉積氮化硅薄膜和絲網(wǎng)印刷背電極并且在燒結(jié)后的太陽(yáng)能電池表面利用絲網(wǎng)印刷或者噴涂或者噴墨打印一層含有金屬硅化物的腐蝕漿料；
b、在一定溫度下烘干燒結(jié)；
c、對(duì)燒結(jié)完的電池片表面進(jìn)行清洗，去除腐蝕漿料；
d、在清洗后的電池片表面進(jìn)行光誘導(dǎo)電鍍銅，電鍍錫；
e、將電鍍好的電池烘干，制備完成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池電極的制備工藝，其特征是，所述步驟a腐蝕漿料含有硅化鎳,?硅化鎢,?硅化鈦中的一種或者幾種納米顆粒,其成分包括氫氟酸、磷酸及其相關(guān)鹽、乙基、羥乙基羥丙基或羧甲基纖維素鈉羧甲基淀粉鈉、陰離子雜多糖、丙烯酸酯、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或高度分散硅酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池電極的制備工藝，其特征是，所述步驟a中印刷的腐蝕漿料寬度為30-40μm，厚度為5-10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池電極的制備工藝，其特征是，所述步驟b中烘干的溫度為350-450℃，時(shí)間為1-10min，氣氛為氮?dú)獾缺Ｗo(hù)氣氛。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池電極的制備工藝，其特征是，所述步驟b燒結(jié)后形成的鎳層厚度為200nm-1000nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池電極的制備工藝，其特征是，所述步驟d中電鍍的銅層厚度為10-25μm，錫層厚度為5-10μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
