[發(fā)明專利]基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210470930.4
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN102980655A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙相國;江波;周泗忠;郭治理;靳虎敏
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號: G01J3/18
• 分類號: G01J3/18
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 姚敏杰

1.一種基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)包括衍射晶體以及基座晶體；所述衍射晶體開設(shè)有異型熱緩釋溝槽，所述衍射晶體的背面為具有精密面形的衍射面；所述基座晶體上開設(shè)有卸荷槽、進(jìn)水口、出水口以及集水箱；所述進(jìn)水口通過集水箱、衍射晶體的異型熱緩釋溝槽與出水口相貫通；所述衍射晶體與基座晶體通過高溫擴(kuò)散焊接成組合晶體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)還包括連接桿以及不銹鋼晶體夾持座；所述不銹鋼晶體夾持座通過連接桿夾持組合晶體；所述連接桿是使用熱膨脹系數(shù)與晶體熱膨脹系數(shù)相似的材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)還包括壓制在衍射晶體上的壓板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在不銹鋼晶體夾持座與基座晶體之間的密封圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述衍射晶體以及基座晶體均是Si（111）晶體或其它材料的同步輻射分光用單晶體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述異型溝槽是平行于入射光的半月形冷卻水槽；槽深10mm，水槽寬3.5mm，肋寬1.5mm；所述半月形溝槽的頂部設(shè)置有28mm長的平坦區(qū)；所述半月形溝槽的頂部的衍射面厚度為0.8mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基座晶體的四周刻有卸荷槽，所述卸荷槽是寬2mm和深2mm的切槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基于異型溝槽的晶體熱緩釋結(jié)構(gòu)還包括冷卻水管。