[發(fā)明專利]減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210470921.5
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103839768A
• 公開（公告）日: 2014-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘琦;張弈順;顧武強;王強
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造工藝中，會使用正硅酸乙酯爐來完成對晶圓的沉積工序，如圖1所示，TEOS正硅酸乙酯氣體Si(OC2H5)4和氮氣N₂通過管路供給到爐管，晶舟在裝載區(qū)載入若干晶圓，如圖2所示，將裝載了晶圓的晶舟升入爐管內(nèi)，TEOS管路供應(yīng)TEOS氣體，開始對晶圓進行沉積工序。沉積工序結(jié)束后，TEOS管路停止供應(yīng)，氮氣管路開始供應(yīng)氮氣，對晶圓和晶舟進行清洗，去除晶圓表面和晶舟上殘留的TEOS氣體。如圖1所示，然后晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)，等待晶圓冷卻，并卸下晶圓。如果暫時沒有晶圓要進行沉積工序，則正硅酸乙酯爐處于空閑狀態(tài)，在這段空閑時間內(nèi)，晶舟一直呆在裝載區(qū)內(nèi)，由于裝載區(qū)內(nèi)充滿水汽，而晶舟上附著有氮氣清洗過程中殘留的TEOS氣體，則水汽和TEOS氣體會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，Si(OC2H5)4+2H2O?→SiO2+4C2H5OH，生成的乙醇氣體C2H5OH會形成較大的分子來作為顆粒核心，從而形成雜質(zhì)。隨著空閑時間的增加，正硅酸乙酯爐體中生成的顆粒雜質(zhì)會越來越多，這些雜質(zhì)會影響后續(xù)晶片的沉積工序，增加產(chǎn)品的不合格率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法，減少了正硅酸乙酯爐體中的顆粒雜質(zhì)，延長了爐體的正常運行時間，降低了產(chǎn)品不合格率。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法，其特征在于，該方法在晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)之后開始執(zhí)行，該方法包含以下步驟：

步驟1、判斷是否還要裝載晶圓升入爐管進行沉積工序，若是，則按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進行后續(xù)操作，若否，則正硅酸乙酯爐處于空閑狀態(tài)，進行步驟2；

步驟2、判斷空閑時間是否大于3小時，若是，則進行步驟3，若否，則繼續(xù)等待；

步驟3、晶舟升入爐管；

步驟4、判斷是否有晶圓需要升入爐管進行沉積工序，若是，則晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)，裝載晶圓后，按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進行后續(xù)操作，若否，則晶舟繼續(xù)呆在爐管內(nèi)。

本發(fā)明減少了正硅酸乙酯爐體中的顆粒雜質(zhì)，延長了爐體的正常運行時間，降低了產(chǎn)品不合格率。

附圖說明

圖1是晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是晶舟升入爐管內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

以下詳細說明本發(fā)明的較佳實施例。

本發(fā)明提供一種減少正硅酸乙酯爐體中顆粒雜質(zhì)的方法，該方法在晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)之后開始執(zhí)行，該方法包含以下步驟：

步驟1、判斷是否還要裝載晶圓升入爐管進行沉積工序，若是，則按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進行后續(xù)操作，若否，則正硅酸乙酯爐處于空閑狀態(tài)，進行步驟2；

步驟2、判斷空閑時間是否大于3小時，若是，則進行步驟3，若否，則繼續(xù)等待；

步驟3、晶舟升入爐管；

步驟4、判斷是否有晶圓需要升入爐管進行沉積工序，若是，則晶舟下降到裝載區(qū)內(nèi)，裝載晶圓后，按照正常工序裝載晶圓升入爐管，進行后續(xù)操作，若否，則晶舟繼續(xù)呆在爐管內(nèi)。

本發(fā)明大大減少了空閑時間內(nèi)晶舟呆在裝載區(qū)內(nèi)的時間，也就減少了晶舟與水汽接觸的時間，從而減少了水汽和TEOS氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生的顆粒雜質(zhì)，延長了爐體的正常運行時間，降低了產(chǎn)品不合格率。

盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細介紹，但應(yīng)當(dāng)認識到上述的描述不應(yīng)被認為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。